世界最高のエネルギー変換効率15.1%を実現したフィルム型ペロブスカイト太陽電池を開発－軽量で曲げることが可能で多様な場所に設置できる次世代太陽電池の実用化に向け前進し、 カーボンニュートラル社会の実現に貢献へ－ | 研究開発センター | 東芝
当社は、新たな成膜法を開発することにより世界最高(*1)のエネルギー変換効率 (*2)15.1%を実現したフィルム型ペロブスカイト太陽電池(*3)を開発しました。当社は、2018年6月にペロブスカイト太陽電池として世界最大(*4)サイズ（703cm2, *5）のモジュールを開発していますが、今般、この世界最大サイズを維持しながら、成膜プロセスの高速化と変換効率の向上に成功しました。15.1%は、現在普及している多結晶シリコン型の太陽電池のエネルギー変換効率に相当します。また、フィルム型ペロブスカイト太陽電池は軽量薄型で曲げることができるため、従来は設置ができなかった強度の弱い屋根やオフィスビルの窓など多様な場所に設置することができます。例えば、エネルギー変換効率15.1%のフィルム型ペロブスカイト太陽電池を、東京都23区内の建物の屋上および壁面の一部に設置した場合、原子力発電所2基分（東京
常温環境下において世界最高スピードでCO2を価値ある資源に変換可能なCO2資源化技術を開発 －封筒サイズの設置面積で年間最大1.0tのCO2を変換可能なCO2電解スタックの開発により、省スペースで脱炭素化に貢献する処理能力を達成－ | 研究開発センター | 東芝
当社は、二酸化炭素（CO2）を燃料や化学品の原料となる一酸化炭素に電気化学変換するCO2資源化技術「Power to Chemicals」において、変換する電解セルを当社独自の技術で積層（スタック化）することで単位設置面積あたりの処理量を高め、郵便封筒（長3）サイズの設置面積で、年間最大1.0t-CO2の処理量を達成しました。これは、常温環境下で稼働するCO2電解スタックにおいて世界最高の処理速度(*1)となります。 電解セルをスタック化することにより処理速度が低下するという課題がありましたが、今回、当社は、独自技術によって、スタック化により生じる速度低下を防ぐことに成功しました。スタック化により単位設置面積当たりの処理量も増加するため、実用レベルの省スペースでCO2を有価物に変換することが可能となります。例えば、1日のCO2排出量200tとなる清掃工場(*2)であれば、2000m2（バス
研究開発ライブラリ ウェアラブル・ディスプレイに向けた映像表示技術の開発について | 研究開発センター | 東芝
2014年7月 概要 当社は、視線の先に映像を表示できる、見やすく装着性の優れたウェアラブル・ディスプレイを目指した映像表示技術を開発しました。 開発の背景 近年、社会インフラの老朽化あるいは装置の複雑化により、高度な保守点検のニーズが高まっています。保守点検の業務量の増加や、高難度化が進む中で、高度な専門スキルを持った保守作業員は不足しており、ICT技術の積極活用による作業効率の改善が期待されています。そこで当社は、従来のタブレットなどの情報端末に加えて、ハンズフリーで作業手順や図面等を視線の先に表示できるウェアラブル・ディスプレイに向けた独自の映像表示技術を開発しました。 従来技術と課題 従来のウェアラブル・ディスプレイの表示方式の1つに、表示部をメガネフレームの外側に設ける方式がありました。しかし、この方式では、表示部が視界の一部を遮ってしまうという問題がありました。更に、表示内容を
ニュースリリース (2012-12-10)：世界最高の低消費電力性能を実現した新方式の不揮発性磁性体メモリ（STT-MRAM）を開発 | ニュース | 東芝
当社は、スマートフォンやタブレットなどに搭載されているモバイルプロセッサ用キャッシュメモリ向けに、世界最高注１の低消費電力性能注２を実現した新方式の不揮発性磁性体メモリ（STT-MRAM注３）を開発しました。新開発のSTT-MRAMは、世界で初めて注１、キャッシュメモリに適用されているSRAMよりも低消費電力での動作を実現しました。さらに、新型STT-MRAMのキャッシュメモリを搭載したプロセッサ用の高精度シミュレータを開発し、実際にプロセッサ上でソフトを動作させた際の消費電力が、標準的なモバイル向けプロセッサと比較して3分の1程度に低減できたという計算結果を示しました。 今回開発したのは、垂直磁化方式注４のSTT-MRAMをベースに、メモリ構造を改良すると同時に、30nm以下まで素子の微細化を進めた新方式のSTT-MRAMです。従来のSTT-MRAMでは、省電力化と速度向上は二律背反の関
ニュースリリース (2012-07-24)：四日市工場におけるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの生産調整について | ニュース | 東芝
当社は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの生産拠点である四日市工場（三重県四日市市）において、本日から、当社の生産量の３割を削減する生産調整を行います。 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのＵＳＢ・カード向け市場においては、年初来、供給過剰から価格下落が継続しています。当社は６月以降実施しているＵＳＢ・カード向け市場への出荷調整に続き、本日以降、稼働率を下げることにより、生産調整を実施します。これにより市場における在庫圧縮を進め、需給バランス改善を早めていきます。 一方、需要を牽引するＰＣやスマートフォンなどは、引き続き高い成長率が見込まれており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ市場全体では、今年度第２四半期（７－９月）には需給の改善が期待されることから、今回の生産調整による改善と合わせて、早期の市況の回復を図ります。また、稼動状況は、今後市況の回復具合を見ながら見直していきます。
ニュースリリース (2011-11-28)：「海流発電システム」の開発に着手 | ニュース | 東芝
株式会社IHI 株式会社東芝 国立大学法人東京大学 株式会社三井物産戦略研究所 株式会社ＩＨＩ（東京都江東区、社長：釡 和明）及び株式会社東芝（東京都港区、社長：佐々木 則夫）、国立大学法人東京大学（新領域創成科学研究科 海洋技術環境学 高木健教授）、株式会社三井物産戦略研究所（東京都千代田区、社長：小山 修）は、独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）が公募した「風力等自然エネルギー技術研究開発／海洋エネルギー技術研究開発」に連名で応募し、このたび、「次世代海洋エネルギー発電技術研究開発」の委託予定先に採択されました。 我が国は、黒潮などの海流が年間を通じて沿岸付近を流れているため、この巨大なエネルギーを利用することにより、自国の自然エネルギーを利用したクリーンな安定電源を新たに構築することができると期待されています (図1)。 本事業は、この海流エネルギーを有効、か
ニュースリリース (2011-11-24)：新開発半導体「ｅｃｏチップ」搭載で待機電力ゼロワットを実現した 「レグザ３２ＢＥ３」の発売について | ニュース | 東芝
新開発半導体「ｅｃｏチップ」搭載で待機電力ゼロワットを実現した 「レグザ３２ＢＥ３」の発売について －待機電力ゼロワット時でもリモコン操作やＵＳＢハードディスク予約録画に対応－ 当社は、地上・BS・110度CSデジタルハイビジョン液晶テレビ「レグザ（REGZA）シリーズ」として、新開発半導体「ecoチップ」を搭載し、待機電力ゼロワット（W）注１を実現した32V型ハイビジョンLEDバックライト液晶採用の「レグザ 32BE3」を12月中旬から発売します。 新商品は、リモコンの「電源」ボタンでオフにすると、大容量キャパシターに充電された電力で「ecoチップ」が動作し、AC電源を切断することによって、待機電力ゼロワットを実現しています。リモコン操作だけでAC電源プラグを抜いたときと同等の待機電力ゼロワット効果が得られるとともに、待機電力ゼロワット時でも「ecoチップ」により、リモコン操作が可能とな
ニュースリリース (2011-07-07)：次世代高密度磁気記録技術の開発に向けHDD技術センターを設立 | ニュース | 東芝
当社は、HDD（ハードディスクドライブ）における技術開発拠点として、7月16日付で新たに「HDD先行技術センター」と「HDD製造技術センター」を設立します。この両センターを拠点として、磁気ヘッドメーカーのTDK株式会社（以下、TDK）および磁気ディスクメーカーの昭和電工株式会社（以下、昭和電工）の２社の技術協力を得て、次世代高密度磁気記録技術開発を加速するとともに、製造技術の強化についてもTDKと協業し推進していきます。 当社が世界に先駆け2004年に実用化した垂直磁気記録方式注１は、それまでの水平式磁気記録方式注２に比べ大幅な大容量化が可能なため、現在のHDDの主流となっていますが、その記録密度は1.6Gbit/mm２（1Tbit/in２）程度が限界と考えられており、さらなる高密度化については新たな技術開発が必要とされています。 今回、HDDに特化した先行技術センターを新たに設立し、磁気
ニュースリリース (2010-12-06)：立体構造トランジスタの高性能化技術の開発について | ニュース | 東芝
当社は、２０nm世代以降の超低消費電力・高性能LSIの実現に向け、トランジスタ構造の有力候補として検討されている立体構造トランジスタの「ナノワイヤトランジスタ」において、歪み印加技術によってオン電流を従来比５８％向上できることを実証しました。本成果は、１２月６日から米国・サンフランシスコで開催される半導体デバイスに関する国際学会「ＩＥＤＭ ２０１０」で、８日（現地時間）に発表します。 ナノワイヤトランジスタ（図１参照）は、トランジスタのチャネル部がナノメートル級の細いワイヤ形状のシリコンからなるトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）です。細線状のチャネルをゲートが取り囲む構造のためにゲートによる制御性能が向上して、短チャネル効果によるオフ時リーク電流の大幅な抑制が可能です。一方で、ナノワイヤトランジスタはオン電流が低く、当社はオン電流を向上させるための技術を開発しており、今年６月にはゲート側壁加工の
ニュースリリース (2009-02-09)：世界最大容量、世界最速の不揮発性ＲＡＭの開発について | ニュース | 東芝
世界最大容量、世界最速の不揮発性ＲＡＭの開発について ～容量１２８メガビット、転送速度１．６ギガバイト／秒を実現したＦｅＲＡＭ～ 当社は、不揮発性ＲＡＭとして世界最大容量の１２８メガビット、世界最速の転送速度１．６ギガバイト／秒の性能を持つＦｅＲＡＭ（強誘電体メモリ）を開発しました。 今回開発したＦｅＲＡＭは、省スペース化を実現する当社独自の「チェーン構造」を改良し、さらにセルサイズの小型化に伴う課題であった信号量の低下を防ぐ新規アーキテクチャを搭載しました。これにより、集積度を向上させ、不揮発性ＲＡＭとして世界最大容量の１２８メガビットのＦｅＲＡＭを実現しました。 また、今回新たに、データ転送時に生じる内部の電源供給レベルの揺れを予測し調整する電源回路を追加しました。この回路とＦｅＲＡＭの低消費電力で高速な読み書きができる特性を活かして、従来の最高速度の不揮発性メモリと比較して８倍で、不
プレスリリース (2008.2.19-2) | ニュース | 東芝
半導体新製造棟の建設について 2008年2月19日 三重県四日市市と岩手県北上市に２棟並行して建設 当社は、需要拡大の続いているＮＡＮＤ型フラッシュメモリの生産能力の増強、及び将来的には次世代メモリの生産拠点としての活用も視野に入れて、三重県四日市市、及び岩手県北上市に２カ所並行して新製造棟を建設する方針を決定しました。現在、メモリの工場は第４製造棟まで稼動していますが、さらに２棟の建設をほぼ同時に行い、能力増強の余地を拡大して、需要急増にタイムリーに対応できる体制を整えるとともに、将来の次世代メモリの速やかな量産立ち上げに備えることで、さらなる事業競争力強化を図ります。 新製造棟２棟は、当社四日市工場の隣接地、及び岩手東芝エレクトロニクス株式会社の敷地内に建設する計画です。今後、建築の検証や設計、各種許認可手続きを経て、両製造棟ともに２００９年春に着工、２０１０年の竣工を予定しています。
東芝：プレスリリース (2008.2.19) ＨＤ ＤＶＤ事業の終息について
ＨＤ ＤＶＤ事業の終息について 2008年2月19日 当社は、これまでＨＤ ＤＶＤ規格に基づいたプレーヤー及びレコーダーのグローバルな事業を展開してまいりましたが、本年初頭の大幅な事業環境の変化に際し、今後の事業戦略を総合的に検討した結果、同事業を終息することを決定いたしました。 ＨＤ ＤＶＤ規格は、２００社以上の国際企業から構成されるＤＶＤフォーラムで現行ＤＶＤを継承する次世代ＤＶＤ規格として策定され、現行ＤＶＤとの高い互換性や、ネットワーク接続機能などの先進性を備えた国際規格であり、当社は事業推進に鋭意取り組んでまいりました。しかしながら、異なる規格が併存することによる、いわゆる次世代ＤＶＤ議論の長期化による当社の事業への影響はもとより、消費者の皆様をはじめとする市場における影響に鑑みて、早期に当社の姿勢を明確にすることが重要と判断し、今回の決定に至ったものです。 本決定により、ＨＤ
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