PLL の分周 / 逓倍（ていばい） - 半導体事業 - マクニカ
太郎です。今回は PLL （Phase Locked Loop : 位相同期回路） による分周 / 逓倍について書きます。 前回の 新人エンジニアの赤面ブログ 『バッファについて』 でもご紹介した通り、PLL のメイン構成要素は PFD / CP , LPF , VCO でした。 PLL は、リファレンス信号（以下 REF） / フィードバック信号（以下 FB）に分周器（Divider）が加わることによって、分周器 / 逓倍器として機能します。 今回は、その原理について書きます。 PLL による分周 PLL の分周回路は下図のように REF に分周器が付きます。 例として、入力 （IN） が 100 MHz, 分周器が 4 分周するものだとすると、REF は IN の 1/4 の 25 MHz となります。 すると、REF の位相 / 周波数に合うように FB の位相 / 周波数を PFD
上書き禁止 !? Flash メモリーの書き込み - 半導体事業 - マクニカ
もともとは、 ・RAM：動作が速いが電源を落とすとデータが残らない揮発性メモリー ・ROM：動作が遅いがデータが残る不揮発性メモリー と分けることが多かったですが、近年は MRAM などの不意発性 RAM も登場しています。 今回扱う Flash メモリーは不揮発性メモリーです。 データの変更も容易で、身近なところでいえば USB メモリーはこの Flash メモリーが使われています。 Flash メモリーの特徴 USB メモリーは、自由に上書きができて便利だと思っていた私に、社内研修の講師から衝撃の一言が飛んできました。 講師 「 Flash ってデータの書き換えできないのは知っている？」 私 「・・・・・え？」 どういうことなのでしょうか？ Flash メモリーの動作 1 －データの書き込み－ Flash メモリーの初期状態はすべてのビットが 1 になった状態になっています。 Fla
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