高密度・低コストの組み込み系メモリ技術「Z-RAM」
Innovative Siliconは、標準的なロジック・プロセスで製造可能で高密度・低コストを実現するとうたうメモリ技術「Z-RAM」を発表した。 スイスのInnovative Siliconは、SOC（システム・オン・チップ）用の組み込み系DRAMメモリ技術「Z-RAM」を発表した。標準的なロジック・プロセスで高密度・低コストを実現するのが特徴で、特別な材料やマスク・ステップ増が必要ないという。今後、PCやPC周辺機器、コンシューマエレクトロニクス分野での市場参入を目指す。 Z-RAMは、基本的にはSOI（シリコン・オン・インシュレータ）技術を採用したもの。SOIとは、絶縁膜（インシュレータ）上に形成した単結晶シリコンを基板（シリコンウエハー）とした半導体技術を指す。これにより電荷を貯めるためのキャパシタ（コンデンサ）を利用せずにすむ「ゼロキャパシタ」を実現しており、単一トランジスタの
DDR2 SDRAM - Wikipedia
ヒートスプレッダ付のDDR2 SDRAM（PC2-6400） ノートPCなどで使われるSO-DIMM DDR2 SDRAM (Double-Data-Rate2 Synchronous Dynamic Random Access Memory) は、半導体集積回路で構成されるDRAMの規格の一種である。 4ビットのプリフェッチ機能（CPUがデータを必要とする前にメモリから先読みして取り出す機能）をもつ。内部クロックの2倍の外部クロックを用いるため、クロックの等倍で動作するDDR SDRAMの2倍、SDRAMの4倍のデータ転送速度が理論上得られる。パーソナルコンピュータにおいて2005年〜2009年頃（Pentium 4後期〜Intel Core 2）の主要なメインメモリとして、携帯電話においては2011年から（Cortex-A9など）用いられている。 仕様[編集] DDR2 SDRAMには
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