10nmで苦戦するIntel、問題はCo配線とRuバリアメタルか
10nmで苦戦するIntel、問題はCo配線とRuバリアメタルか：湯之上隆のナノフォーカス（9）（1/5 ページ） Intelは2016年以降、今日に至るまで、10nmプロセスを立ち上げることができていない。一方で、配線ピッチは同等であるはずの、TSMCとSamsung Electronicsの7nmプロセスは計画通りに進んでいる。ではなぜ、Intelは10nmプロセスの立ち上げに苦戦しているのだろうか。 Intelは2016年以降、今日に至るまで、10nmプロセスを立ち上げることができていない。それが原因となって、メモリ不況を引き起していると考えている（関連記事：「Intel 10nmプロセスの遅れが引き起こしたメモリ不況」（2018年12月7日））。その概略は、以下の通りである。 Intelでは最先端の微細加工プロセスでPC用プロセッサを量産し、1世代遅れたプロセスでサーバ用プロセスを
アップルに「半導体の盟主」を奪われたインテルの致命的ミス ムーアの法則終焉説の嘘
常に終焉説が囁かれる「ムーアの法則」 ムーアの法則とは、1965年に米インテルの創業者の一人、ゴードン・ムーア氏が提唱した「半導体のトランジスタの集積度は2年で2倍になる」という法則である。集積度を2倍にする際、トランジスタの寸法が変わらなければ半導体チップが巨大化していく。そうならないように、集積度の向上とともにトランジスタの寸法を微細化する。したがって、ムーアの法則と微細化は表裏一体の関係にある。 ムーアの法則が提唱されてから50年が経過したが、その間に何度もその終焉説が囁かれた。なぜなら、半導体の微細加工技術が幾度となく困難に直面したからだが、半導体業界はその都度、壁をブレークスルーしてきた。 その具体的な一例を示そう。筆者は2007年、リソグラフィ技術に関わっている世界のキーパーソンたちに、「半導体微細化の限界は何nm（ナノメートル）か？」というインタビューを行った。リソグラフィ技
エルピーダに公的資金注入を検討…韓国勢に対抗、再編後押し : 経済ニュース : マネー・経済 : YOMIURI ONLINE（読売新聞）
半導体メモリー（ＤＲＡＭ）で世界３位のエルピーダメモリに対し、政府が公的資金を活用した資本増強を検討していることが１５日、明らかとなった。 経済産業省の木村雅昭審議官が１４日、エルピーダの提携交渉先である台湾の半導体メーカーと台湾当局に支援の意向を伝えた。世界１、２位の韓国勢に対抗し、日台メーカー間の再編を日台当局がそれぞれ後押しする格好だ。 エルピーダは、日立製作所とＮＥＣ、三菱電機がＤＲＡＭ事業を統合した「日の丸」メーカーだ。世界的な景気後退で業績が大幅に悪化しており、国会で審議中の資本注入制度の活用を政府に要請する考えを表明していた。 ＤＲＡＭ業界では、１月に世界５位の独キマンダが破綻(はたん)するなど厳しい生き残り競争が続いている。台湾当局は公的支援制度を整えて半導体メーカーの再編を主導し、エルピーダのほか４位の米マイクロン・テクノロジーとの間でも提携を模索していた。
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