次世代不揮発性メモリー、IntelとMicronが来年量産
米Intel社と米Micron Technology社は2015年7月28日、「1989年のNANDフラッシュメモリーの登場以来、メモリー技術における25年以上ぶりのブレークスルー」（Intel社）とする「3D XPoint technology」を発表した。NANDフラッシュメモリーで一般的な128Gビットの容量を備えたチップも開発したとする。 想定する用途は、大量のデータを高速に処理する必要がある分野への適用だ。例えば、8Kの超高精細映像を用いたゲームや、顔認識や音声認識などのパターンマッチング、そして遺伝子解析といった用途である。 両社は2015年末に特定の顧客向けにサンプル出荷を始め、2016年に一般に向けて発売するとしている。
7nm IBM Chip Doubles Performance, Proves Moore's Law Through 2018
Moore's Law is one of those miracles of modern life that we all take for granted, like grocery stores and dentistry with anesthesia. For 50 years now, computer processors have been doubling their performance per dollar per square centimeter every 1-2 years. This exponential trend has taken us from the ENIAC's 500 flops (floating point operations per second) to around 54 petaflops for the most powe
モバイル向けDRAMは堅調、タブレット端末がけん引役に
モバイル機器向けのDRAMは、特にタブレット端末がけん引役となり、堅調に成長するとみられている。タブレット向けDRAMは、2015～2018年は年平均成長率10.64％で伸びる見込みだという。 市場調査会社であるTechNavioが最近発表した調査結果によると、タブレット端末向けDRAMの世界需要は今後も緩やかに増加し、2015～2018年の売上高は年平均成長率（CAGR）10.64％で伸びる見込みだという。しかしベンダー各社は、今後もさまざまな問題に直面することになるだろう。 DRAM業界ではメーカーの統合も進む TechNavioによると、タブレット端末向けDRAMの世界売上高は、2014年には15億1000万米ドル規模だったが、2018年までには成長率9.3％で伸び、25億米ドル規模に達する見込みだという。また、出荷量（ビット換算）については、2013年には22億4000万ギガビット
【５分でわかる最新キーワード解説】SSDの限界を超える「ReRAM搭載SSD」 | マイナビニュース
日々進歩するIT技術は、ともすると取り残されてしまいそうな勢いで進化の速度を高めています。そこでキーマンズネット編集部がお届けするのが「5分でわかる最新キーワード解説」。このコーナーを読めば、最新IT事情がスラスラ読み解けるようになることうけあい。忙しいアナタもサラっと読めてタメになる、そんなコーナーを目指します。今回のテーマは、SSDよりも高速、DRAMよりも大容量のReRAMのエラー発生率を80％削減すると同時に33倍の高速化を達成する制御技術が登場した「ReRAM搭載SSD」。ReRAMの本格実用化までには課題が多いようですが、この制御技術が発展すれば、チップ自身の成熟を待たずにReRAM＋SSDのハイブリッドメモリ実用化が進みそうです！ 「ReRAM搭載SSD」ってどんなもの？ （1）SSD（NANDフラッシュメモリ）より1万倍速い書き込み速度 （2）不揮発性（電源を断ってもデー
均一性のNECと一点突破の日立 手段と目的を履き違えていた半導体技術文化 | JBpress (ジェイビープレス)
1999年12月にNECと日立製作所のDRAM合弁会社エルピーダメモリ（当時はNEC日立メモリ）ができたときのことである（大変古い話で恐縮ですが）。私は、2000年2月にNEC相模原内のエルピーダ・プロセス開発センターに出向して、同様にNECから出向してきた技術者と一緒にDRAMのプロセス開発を行った。 そのとき、会社が違うと、仕事のやり方がかくも違うものなのかと驚いた。DRAMのプロセスフローは、500工程以上になるが、その各工程で使用する装置が違うとか、そのプロセスの毛色が違うとか、そういったことではない（もちろん、それも違うのではあるが）。プロセス開発の方針と言うか、哲学がまるで違うのである。 簡単に言えば（よく言えば）、NECは「均一性第一主義」であり、日立は「新技術優先主義」であった。悪く言えば、NECは「病的なまでの潔癖完璧主義」であり、日立は「新技術オタクの一点突破主義」であ
SSDの速度を11倍向上、書き換え回数を6.9倍向上、電力を93%削減。ReRAMとフラッシュメモリのハイブリッドSSDシステムを開発。6月にハワイで開催されるVLSI Circuit 2012で発表します。 - 竹内研究室の日記
6月にハワイで開催される、半導体ではISSCCに次ぐトップ学会、Symposium on VLSI Circuitsに論文が採択されました。 ReRAMといった新メモリとフラッシュメモリを組み合わせたハイブリッドSSDのコントローラー技術です。 SSDのコントローラー技術、メモリを制御するシステムを開発し、速度を11倍向上、書き換え回数を6.9倍向上、電力を93%削減。 卒論で優秀論文賞を受賞した藤井君が発表します。 学部生だって、できるやつは、できるのです。 Session 16 – Flash Memory Friday, June 15, 8:05 a.m. 16.3 - 8:55 a.m. "x11 Performance Increase, x6.9 Endurance Enhancement, 93% Energy Reduction of 3D TSV-Integrated
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【福田昭のセミコン業界最前線】 Intel-Micron連合が発表した“革新的な”不揮発性メモリ技術 - PC Watch
Apple Watchの「S1プロセッサ」、RAMはエルピーダ製の512MB
【イベントレポート】 ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発 ～IEDM 2014レポート
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Micron、エルピーダメモリの買収を完了
Discover Yield Software - Onto Innovation
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Production Yield Reporting Software | yieldWerx
Micron社CEOが明言、「エルピーダ広島工場では当面DRAMの生産を維持する」
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 DRAMとNANDフラッシュが終わり、新不揮発性メモリの時代が来る
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 iPad miniと第4世代iPad発表の裏に隠された半導体プロセスの移行
【福田昭のセミコン業界最前線】 ついに限界に達するNANDフラッシュの微細化と大容量化
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 Wide I/O 2からHBMまで、次々世代メモリが見えたMemcon 2012