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基礎から学ぶ光物性e-ラーニング
●「基礎から学ぶ光物性」のeラーニング資料です。 ここには、独学で光物性を学びたいという方のご要望にお応えして、2008年度の講義のビデオをzip fileの形でアップしておりましたが、リンクが切れたため、現在ビデオは見ることが出来ません。 スライドは、ご利用になることができます。 このコンテンツの著作権は、佐藤勝昭と東京農工大学にありますので、ご自分の学習に用いるため以外には使うことは出来ません。全部、または、一部を講義等でお使いになる場合は許可を求めて下さい。 配信状況、講義資料、講義ＯＨＰ
Semiconductorjapan.net
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プロダクト解析センター - パナソニック ホールディングス
2022年4月29日（金）～5月8日（日）まで休業いたします。 5月9日（月）より、通常通り営業いたします。
大容量で安価なiPhoneやSSDへの布石か、Intelが世界初の25nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリを発表
IntelとMicronが25nmプロセスを採用した世界初のNANDフラッシュメモリを発表しました。 製造プロセスが微細化されたことによって1チップで8GBという大容量を実現しており、SSDなどのフラッシュメモリ製品やiPhoneをはじめとしたスマートフォン、音楽プレーヤーなどを従来よりも高いコストパフォーマンスで大容量化できることなどが見込めます。 詳細は以下から。 インテルとマイクロン、半導体業界最小最先端の 25nm プロセス技術による NAND 型フラッシュメモリーを発表 このリリースによると、IntelとMicron Technologyは、世界初となる25nm（ナノメートル）プロセス技術を採用したNANDフラッシュメモリを発表したそうです。サンプル出荷は現地時間の2月1日より開始され、量産出荷は2010年第2四半期（4～6月）になる予定。 新たに開発されたフラッシュメモリは1チ
東北大、半導体中のスピン寿命を増大 - ゲート電界による制御で実現 | エンタープライズ | マイコミジャーナル
東北大学大学院工学研究科の新田淳作教授らの研究グループは、半導体二次元電子ガスを細線構造に微細加工するとともにゲート電界でスピン軌道相互作用を制御することでスピン寿命を従来比で1桁以上増大させることに成功したことを明らかにした。 電界効果スピントランジスタの実現には、電界によるスピンの制御とスピンの情報を消失するスピン緩和の抑制が不可欠となっている。同研究グループでは、これまで、ゲート電界によりスピン軌道相互作用を制御し、磁場により制御されていたスピンの回転角度を電界でスピン回転制御することに成功していたが、スピン軌道相互作用は、電子の散乱とともに有効磁場の方向を変えるため、スピンの向きはバラバラとなりスピン緩和の原因となっていた。 起源の異なる2つのスピン軌道相互作用を同じ強さにすることでスピンの緩和が抑制され、スピン共鳴緩和抑制状態(永久スピン螺旋状態)が実現されることは、理論的に予言
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Photoreflectance and electroreflectance in silicon
Transistor Wars
https://pubs.aip.org/aip/adv
ソニーが東芝の設備買い戻しで協議、ＣＭＯＳセンサー増産へ | テクノロジーニュース | Reuters
Growth of native oxide on a silicon surface | Browse Journal - Journal of Applied Physics
Dry Etch Damage
RF hydrogen-plasma-related defects in thin SiO2/p-Si structures - ScienceDirect
Amazon.co.jp: MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (Metal Oxide Semiconductor Physics and Technology): Nicollian, E. H., Brews, J. R.: 本
Damage Free Etching for Gate Process of GaAs MESFET by ICP Method