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2012年9月8日のブックマーク (5件)

  • サイボーグごはん:探偵ナイトスクープ「謎のビニール紐」の怖さは異常

    【ニュース速報(嫌儲)板】 - 探偵ナイトスクープ「謎のビニール紐」の怖さは異常 1:番組の途中ですがアフィサイトへの転載は禁止です:2012/09/03(月) 21:52:33.84 ID:hTeZS3oV0 ?2BP(1001)

  • 株式会社半導体エネルギー研究所 山﨑 舜平 - 日本の社長.tv

    製造部門を持たず知的財産による収益で運営している21世紀型の研究開発専門企業【半導体エネルギー研究所】を支えし賢人の開発に懸ける熱い情熱に触れ、私たちは世界の半導体技術の革命を目の当たりにする。 番組公開日:2012年08月23日 この社長の会社の詳細を見る この会社のWEBサイトを見る フォローすることによって、あなたはその企業の採用情報を受取る事が出来ます。 また、フォローするだけで企業の採用担当者と繋がることができるので、気になることがあれば気軽にチャットで質問をしたり、その企業に入社したい場合チャットで自分をアピールできます。 あなたがまだ学生だったり、今の仕事の都合ですぐに転職を考えていないとしても、企業の情報を仕入れたり、「いつか働きたい」と思っている企業の担当者と繋がりが作れます。 もしこの企業に少しでも興味があれば、ぜひ採用情報をフォローして将来のチャンスに備えましょう。

    株式会社半導体エネルギー研究所 山﨑 舜平 - 日本の社長.tv
  • スマホのディスプレイの低消費電力化・高精細化が可能なIGZO液晶新技術、シャープと半導体エネルギー研究所が共同開発

    スマートフォンなどモバイル機器向けの液晶ディスプレイのより一層の高精細化や低消費電力化、タッチパネルの高性能化の実現が可能になる新技術をシャープと半導体エネルギー研究所が共同開発しました。 これによってすさまじく高解像度の液晶にもかかわらず電力消費は今までよりも低い、結果的にバッテリーがもっともつ、というような新製品が出てくることが予想されます。 シャープと半導体エネルギー研究所がディスプレイを革新する酸化物半導体の新技術を共同開発 | ニュースリリース:シャープ http://www.sharp.co.jp/corporate/news/120601-a.html これが試作した4.9型のスマートフォン向け液晶ディスプレイ。解像度は720×1280、画素密度は302ppi。 そしてこれが試作した6.1型のモバイル機器向け液晶ディスプレイで、解像度はなんと2560×1600、画素密度は49

    スマホのディスプレイの低消費電力化・高精細化が可能なIGZO液晶新技術、シャープと半導体エネルギー研究所が共同開発
  • 半導体エネルギー研究所の元技術開発社員湯之上隆の入社歴6ヶ月の話⇒日本半導体が凋落した原因の特許戦略 - 摂氏99度

    半導体エネルギー研究所の元技術開発社員湯之上隆の入社歴6ヶ月の話 ⇒ 日半導体が凋落した原因に特許戦略があると言う、、、 ■この真実の物語は、湯之上 隆によるストーリーです。■第1章■ 半導体エネルギー研究所の元技術開発社員=湯之上 隆の、 この社へ転職入社して6ヶ月で退社。 その流れ、の話ストーリー、、、 ●今(2011年)のネオ湯之上隆を創造させた、 人生の踏み絵の第1歩の始まり、、、、 この話を読む限り、生きていれば、どう明日が開けるのか、 科学でも数学でも不可解で解けない、、 見えざる神の手によって、銀河鉄道に切り替えられる。 ●文書の中の登場人物; 私=湯之上 隆 社長=山舜平(半導体エネルギー研究所社長) このストーリーの時間=2002/11月入社~2003/4月退社=6ヶ月 ■履歴書23通目で入社、そこで見た仰天の企業活動とは!! 恥ずかしながら、私には2回、失業した経験

    半導体エネルギー研究所の元技術開発社員湯之上隆の入社歴6ヶ月の話⇒日本半導体が凋落した原因の特許戦略 - 摂氏99度
  • シャープと半導体エネルギー研究所がディスプレイを革新する酸化物半導体の新技術を共同開発 | ニュースリリース:シャープ

    シャープと半導体エネルギー研究所が ディスプレイを革新する酸化物半導体の新技術を共同開発 シャープ株式会社(社:大阪市阿倍野区、社長:奥田 隆司)と株式会社半導体エネルギー研究所(社:神奈川県厚木市、社長:山﨑 舜平)は、高い結晶性を有する、酸化物半導体(IGZO)の新技術を共同開発しました。これにより、スマートフォンなどモバイル機器向けの液晶ディスプレイのより一層の高精細化や低消費電力化、タッチパネルの高性能化の実現が可能です。内容の詳細は、6月5日から開催されるディスプレイの国際学会「The Society for Information Display(SID)」(米国・ボストン)で発表いたします。 共同開発したIGZOは、In(インジウム)、Ga(ガリウム)、Zn(亜鉛)により構成される酸化物半導体に結晶性を持たせたものです。現行のIGZOに対し、より一層の薄膜トランジスタの