基板浮遊効果
SOI基板を使った場合に，トランジスタ本体が基板から絶縁されているため起こるさまざまな現象のこと。 部分欠乏型SOI基板では「ボディ」と呼ぶソースとドレインに囲まれた領域に電荷が蓄積されるため，この領域の電圧がしばらく元に戻らない「ヒストリー効果」などが起きる。
SOIデバイス - マイクロ・ナノデバイス
はじめに SOI（Silicon-On-Insulator）を用いたデバイスは学会レベルでは80年代から登場している。はじめは主に軍事や宇宙向けの高信頼性デバイス向けが主流だったようだ。 大きな転機になったのは1998年のIBMのPowerPCだった。 最近でもWiiに搭載されているIBMのプロセッサやIBM・ソニー・東芝のCellプロセッサなどはSOIを用いている。 他にSOIデバイスを生産しているメーカーとしてはAMDやフリースケールなどが上げられる。Intelがまだ用いていないというのは対照的。 素子の特徴 ＊容量の低減 SOIデバイスの特徴は通常のBulk型のデバイスと比べて素子直下に埋め込み絶縁膜（BOX：BuriedOxide）が存在することである。このBOX層の存在によりS/D拡散層容量が低減される。またドレインに電圧が加えられた時のBulk層とのp-n接合リーク電流が減少す
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http://www.oeg.co.jp/Exhibition/pdf/08OEGmo.pdf
高性能、低電力を支える製造技術65nm、45nmでもSOlを採用
https://www.shmj.or.jp/dev_story/pdf/develop08.pdf
