Auが触媒となり,光ファイバ中でSiH4ガスが結晶Siに変わる。副産物として水素ガスが出る。(図提供:Penn State University) 米国Pennsylvania州のPenn State Universityと英University of Southamptonから成る研究チームは,光ファイバの芯線部分に単結晶Siを形成する技術を開発したと発表した(発表資料)。ICを光ファイバ内に形成して,データ処理機能を備えた光ファイバの実現に向けた一歩だという。 今回の技術のポイントは,細長い光ファイバ中にどのように単結晶Siを形成するかである。同研究チームが採用したのは,FLS(fluid-liquid-solid)法という方法である。これは,(1)芯が中空の光ファイバに金(Au)をレーザ光で溶かし入れて栓のようにする。(2)シラン(SiH4)ガスを高圧ヘリウム(He)ガスに加えてファ