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■古いニュース(2008/10/03 - 2008/10/13) [HOMEへもどる] 2008/10/13 ■PSP-3000ではUniversal Unbriker v7が動作しない模様 今週発売となるPSP-3000ですが、Dark-Alex氏製作によるUniversal Unbriker v7は残念ながら現状では動作しないとの事。これは今回 発売されるPSP-3000が新CPU+TA-088v3の基板を使用している事が原因のようです。去年のPSP-2000発売時のような事は無くなりました が、これからの氏の対応に期待するしか無さそうですね。 2008/10/11 ■PSP v5.00は10/15にリリースか PSP向けPlaystation Storeサービスが10/15に開始される予定ですが、それに合わせてファームウェア v5.00もリリースされるとの事です。 v5.00では幾つ
富士通研究所、次世代FeRAM用新メモリ材料を開発〜1,000億回の書き換えを実現 | RBB TODAY
富士通研究所と東京工業大学は28日に、次世代FeRAM（エフイーラム）（注3）向けの新しいメモリ材料を開発したことを発表したビスマスフェライト（BFO）の成分の一部を置き換えたものを用いることで、1,000億回の繰り返し書き換えおよびリーク電流の低減に成功したとのこと。 180nm世代テクノロジーのFeRAMのメモリ材料として、従来はチタン酸ジルコン酸鉛（PZT）が用いられているが、微細化を進めると電荷量が得られなくなってしまい、130nm世代テクノロジーへの適用までが限界と言われていた。この新材料は、PZTより大きな電荷量を蓄えられる強誘電体であるため、180ナノメートル（nm）世代の製品で採用されているものと同じ構造のままで、90nm世代以降のFeRAMに適用することが可能で、大容量FeRAMの実用化を可能にするとのこと。 今回、ビスマス成分の一部をサマリウムで置き換えることで、書き換
【レポート】進化する不揮発性メモリ - MRAM、FeRAM、OUMの解説(2) | ネット | マイコミジャーナル
○FeRAM(Ferroelectric RAM) (図3)FeRAMのセル FeRAMはDRAMの延長線に存在するメモリアーキテクチャで、DRAMセルにおいて電荷を保持している誘電体キャパシタを強誘電体とすることで不揮発性を強化している。強誘電体材料としてはPZT(ジルコン酸チタン酸鉛)などのペロブスカイト化合物や、SBZ(チタン酸バリウム・ストロンチウム)などの層状ペロブスカイト化合物が用いられている。 FeRAMのセルとしては現状、図3に示す3タイプのものがある。2T2C(2トランジスタ2キャパシタ)セルはすでに実用化されているもので、一方のキャパシタに例えば"1"というデータを記憶させた場合、もう一方のキャパシタには逆の"0"を記憶させ、読み出す場合にはBLと/BLの2つの電圧差をセンスアンプで判断し、例えば電圧差がプラスであれば"1"、マイナスであれば"0"といったように出力する
【レポート】進化する不揮発性メモリ - MRAM、FeRAM、OUMの解説(1) | ネット | マイコミジャーナル
読み書き可能なメモリとして現状、最も標準的に利用されているのがSRAM、DRAM、フラッシュメモリである。以前掲載した「【レポート】メモリ技術解説( http://pcweb.mycom.co.jp/news/2002/09/05/09.html )」でも述べたように、SRAMは高集積化が困難なため大容量メモリとしては不向きであるが、その高速性を活かしてキャッシュメモリなどに用いられており、またそれとは逆にDRAMはリフレッシュ動作が必要なためアクセス速度は低速なものの、大容量という特性を活かしてパソコンのメインメモリなどに採用されている。またフラッシュメモリはハードディスクと同様に、不揮発性(電気的な記憶の保持が不要)という特性を活かし、比較的小容量のデータの保存に用いられている。 こういったメモリの棲み分けはパソコンだけが情報機器の主役の座に位置している時代であればよかったのだろうが、
【レポート】メモリ技術解説(4) パケット方式を採用、Direct RDRAM | ネット | マイコミジャーナル
○Direct RDRAM Direct RDRAMは「Direct Rambus」と呼ばれるパケット方式の外部インタフェースを採用したDRAMである。SDRAMでは基本的にRAS、CAS、データラインの3つの信号を制御することでアドレッシングが行なわれるが、Direct RDRAMではこの3つをロウパケット、カラムパケット、データパケットとして、コマンドおよびデータのやりとりを実現している。このパケット化は、少ないポートでデータ幅を拡張できるというメリットがある。 次の図のように、SDRAMではデータ幅が固定されているため、1つのメモリモジュールであるDIMM上のチップ毎にデータラインが存在し、これを合わせて64ビットまたは128ビットのデータバスを構成している。またコントローラ側から見ると、制御ラインもDIMM毎に用意する必要がある。 SDRAMの信号ライン 一方、Direct RDR
【レポート】メモリ技術解説(3) DDR IからDDR IIへ、DDR-SDRAM | ネット | マイコミジャーナル
○DDR-SDRAM 「SDRAMをもっと高速に」という要求は当然のごとく生まれたが、半導体プロセスは急速には進歩しない。そこで考え出されたのが「DDR-SDRAM(Double Data Rate SDRAM)」である。 現状の半導体プロセスでは、DRAM内部の動作クロックは100MHz程度が限界である。SDRAMはこの内部動作クロックにインタフェースの動作クロックを併せたものであるが、データのやりとりを行なうインタフェース部分は、ラッチとバッファで構成されるだけなので高速動作が可能である。DDR-SDRAMはこの考えをもとに、内部速度はそのままでインタフェースの動作クロックを向上させたものである。 DDR-SDRAMは、すでに販売されている第一世代のDDR Iと2003年より販売が開始される第2世代のDDR IIがある。 ・DDR I DDR-SDRAMの大きな特徴として挙げられるのは
【レポート】メモリ技術解説(2) 同期動作で高速化、SDRAM | ネット | マイコミジャーナル
次に記憶の保持であるが、DRAMはその構造上、キャパシタに蓄えた電荷が自然に消滅してしまうという弱点がある。次の図はDRAMのセルのFET(MOSFET)を詳しく表したものである。 電荷のリーク MOSFETはGNDに接続されたP型半導体をベースに、ソース、ドレインにあたるN型半導体、ゲートにあたる酸化膜により構成されているが、N型半導体に存在する電荷はP型半導体に接続されたGNDに微小ながら流れ出してしまう(放電する)という特性がある。したがってキャパシタの端子間電圧は徐々に低下してしまう。そのためDRAMでは記憶を保持するためにリフレッシュというキャパシタの端子間電圧を復帰させる作業を定期的に行なってやる必要がある。 リフレッシュは前述のリード動作の1.から4.と同じ処理で行なわれる。非同期DRAMは次のインタフェースで構成される。 非同期DRAMのインタフェース(2M×8ビット＝16
【レポート】メモリ技術解説(1) メモリの基本、SRAM/DRAM | ネット | マイコミジャーナル
マイクロプロセッサは相変わらず、ほぼムーアの法則通りに18カ月で2倍の処理能力向上を実現しており、これが我々のパソコンの利用環境をより簡易で無駄の無いものに引き上げてくれている。ただ、マイクロプロセッサだけがいくら進化しても、コンピュータとしてのトータルパフォーマンスを上げることはできない。コンピュータとしてのトータルパフォーマンスを向上させるためには、メモリの高速化、外部機器とのインタフェースの高速化、外部機器の処理性能の向上などが必要である。 その中で特に重要なのが、メモリ(RAM)の高速化である。パソコンなどの情報処理装置の場合は、補助記憶装置からOSや各種のプログラムをメインメモリにロードし、そこから命令をマイクロプロセッサに渡すことで処理が実行されるわけであるから、いくらマイクロプロセッサが高速であっても、メモリが遅くては一向に処理は進まない。また現在のように、仮想記憶によるマル
無料で100万枚以上のブリテン諸島の風景写真が利用できる「Geograph British Isles」
グレートブリテン島やアイルランド島のあるブリテン諸島の写真を片っ端から撮影して、1平方キロメートルごとの風景写真を集めている「Geograph British Isles」。 写真は2005年から撮影され始め、現在では7000人以上のボランティアによる100万枚以上の写真がクリエイティブコモンズの元で公開されていて、美麗な風景が楽しめるようになっています。 詳細は以下から。 Geograph British Isles 画像は地図からも検索可能。赤くなっている部分は写真があるところです。 以下が公開されている画像の一部。都会から田舎まで様々な風景が見られます。 11月に撮影された夕焼け。 photo by Keith Grinste 一面に緑が広がっています。 photo by Stephen Burton ピカデリーサーカスの一角。 photo by Pam Brophy 地下鉄のコンコ
記録容量は400GB、パイオニアがBlu-rayと互換性を持つ光ディスクを開発
パイオニアが世界で初めてBlu-rayと互換性を持つ大容量光ディスクの開発に成功しました。 なんと1枚あたり400GBのデータを保存できるとのことで、将来的には記録型ディスクも登場する模様。 詳細は以下の通り。 パイオニア、４００ギガバイトの大容量をもつ再生専用光ディスクを開発 このリリースによると、パイオニアは世界で初めて400GBの記録容量をもつ、大容量の再生専用光ディスクの開発に成功したそうです。 これはBlu-rayでも採用されている、ディスクの1記録層に25GBのデータを記録するという従来の記録方式を最大16層にまで記録できるようにしたもので、新たな光学素子や微弱な信号を読み取れる受光素子を読み取り部分に採用したことにより、これまでハードルとなっていた他の記録層からの不要な信号の影響や、各記録層からの再生信号が微弱であったという問題を解決したとのこと。 これが16層の光ディスクで
これでBlu-rayは不要？従来のDVDに9倍のデータを記録する技術が登場
HDDの記録容量を飛躍的に引き上げた垂直磁気記録方式で知られる東北大学が、従来のDVDやCDに9倍のデータを記録する技術を発表しました。 これで片面一層4.7GBのDVDに約42GBほど記録できるようになるため、Blu-rayは不要になってしまうかもしれません。 詳細は以下の通り。 （PDFファイル）母型からスタンパー複製できる新方式V溝ピット方位多値記録の原理実証（9倍密度）に成功 このリリースによると、東北大学はDVDなどの光ディスクの記録位置（ピット）にV字の溝を用いることで、複数の情報を記録する次世代方式のROM技術原理の検証に成功したそうです。これによりCDやDVDに従来の9倍にあたる密度のデータを記録できるとのこと。 これが新しい方式の説明。V字溝のピットに方位を付けることで複数の情報が記録できるようになります。 また、CDやDVDはBlu-rayディスクとは異なり、スタンパー
記録容量は2TB以上、富士通と東芝が来年から新世代HDDを商品化へ
日本経済新聞社の報道によると、次世代の記録技術が実用化されたことを受けて、富士通と東芝が2009年から従来の2倍にあたるサイズのHDDを発売するそうです。 これにより3.5インチのHDDは2TBを超え、ノートパソコン用の2.5インチのHDDは1TBを超えるようになるとのこと。 詳細は以下の通り。 新世代ＨＤＤ、富士通・東芝が09年量産 録画機記憶容量、２倍に?ビジネス-最新ニュース:IT-PLUS この記事によると、富士通と東芝は記憶容量を現行の2倍以上に増やせる新世代のHDDを2009年から商品化するそうです。 これは昨年9月に東芝が発表した、HDDの記録密度を1.5倍に高めることができるディスクリートトラックレコーディング技術を利用したもので、当初の1.5倍を上回る2倍以上の記録容量を実現したとのこと。 これがディスクリートトラックレコーディング技術の概要。 そして基幹部品である次世代
Intelが超ハイエンドSSDを発表、爆速な上に3年間絶え間なくデータを書き込み可能に
9月にIntelから毎秒最大250MBの読み込み速度を実現した爆速のSSDが登場しましたが、その性能をさらに強化したSSDが登場しました。 3年間絶え間なくデータを書き込み続けることが可能な耐久性や、消費電力などのコストを5倍以上低減することが実現できるとのこと。 詳細は以下の通り。 インテル、エンタープライズ用途向け高性能ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）を出荷開始 このリリースによると、Intelは本日よりサーバーやワークステーション、ストレージ・システムなど向けの高性能SSD「X-25E Extreme SATA SSD」の出荷を開始したそうです。 「X-25E Extreme SATA SSD」は50nmプロセス技術で製造された、書き込み速度が速くて低消費電力、高耐久性を実現可能なシングル・レベル・セル（SLC）のNAND型フラッシュ・メモリーを搭載しており、HDDと比較して転
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