何が問題だったのか、ようやく分かった。 - 23mmの銃口から飛び出す弾丸は
『私たちは裁判所の決定よりも顧客と地元を尊重する - 地を這う難破船』 『思想ロンダリングと威嚇ロンダリング - 地を這う難破船』 上記リンク先の２つのエントリを読んで、例の「日教組の教育研究全国集会（教研集会）の全体集会の契約を、グランドプリンスホテル新高輪が一方的に破棄。東京高裁の仮処分決定も無視」という事件（というか何と言うか）の何が問題だったのかが、僕の中では随分クリアになりました。 僕は、この問題についてはあまり関心も興味もなくて、一体何がどう問題なのかさっぱり分からなかったのですね。契約を一方的に破棄したというホテル側の対応もなんだかなという印象がありつつも、「集会の自由云々」とか憲法を持ち出すのはちょっと筋違いなのではないか、とは思っていたのですが。 話は当該のホテルに戻る。憲法問題ではなく契約と信義の問題であり民民関係である。そして。民民関係において「右翼団体の街宣活動」が
【特集】Phenomで探る、AMD新世代プロセッサの真実 - アーキテクチャ研究編 (1) アーキテクチャの変革 | パソコン | マイコミジャーナル
既にレポートもある通り、AMDは昨年公約通りNative Quad CoreであるPhenomを発売した。ただ倍率固定のPhenom 9500/9600はいきなり値段を下げており、本来なら多少プレミア付きで販売される筈のBlack Editionすら比較的安く手に入ってしまう状況は、ちょっと異常と言わざるを得ない。その一方、より上位モデルであるPhenom 9700/9900に関しては、今年第2四半期まで出荷がずれ込むといった話すら出ている。 勿論こうした状況は(既に広く知られている通り)発熱の多さに起因した動作周波数の上がらなさが主要因であり、加えてTLBのErrataが足を引っ張るという形。AMDにしてみれば踏んだり蹴ったりの状況に陥っている訳で、まずはTLBのErrata修正、ついで45nmプロセスへの移行という形でこの苦境を脱したいとしている訳だが、話はそう簡単ではな
ISSCC 2008レポート - Sunがサーバー向けハイエンドプロセッサ「Rock」の概要を公表
「Rock」(開発コード名)のチップ写真。4億1,000万個のトランジスタを集積した。チップ面積は396平方mm。製造技術は65nmのCMOSプロセス、11層金属配線。チップの中央にクロスバースイッチ(写真での表記はData Switch)、その上下に2次キャッシュ(写真での表記はL2 data)を配置した。なお2次キャッシュの隣にMCUとあるブロックは、メモリコントロールユニット カンファレンス会期：2月4日～6日(現地時間) 会場：米国カリフォルニア州サンフランシスコ市 半導体回路技術に関する世界最大の国際会議「ISSCC 2008」のメインイベントであるカンファレンスが、2月4日(米国時間)午前に始まった。 4日の朝はカンファレンスの開催に先立ち「Formal Opening of the Conference」と題した15分ほどのセッションがあり、ISSCC 2008の概要をISS
転送速度は従来の5倍、Intelなどが超高速フラッシュメモリを開発
IntelとMicronは共同で、従来の5倍の転送速度で読み書きができるNAND型フラッシュメモリの技術を開発したそうです。 将来的には従来の10倍の速度にあたる次世代高速データ転送規格「USB3.0」向けデバイスなどに採用されるとのこと。 詳細は以下の通り。 Intel and Micron Develop the World's Fastest NAND Flash Memory with 5X Faster Performance このリリースによると、今回開発された新しいNANDフラッシュメモリは新しいアーキテクチャを採用することによって、従来モデルの読み込み速度が毎秒40MBなのに対して毎秒200MB、書き込み速度は毎秒20MB未満に対して毎秒100MBを達成しているそうです。 なお、将来的にこのフラッシュメモリは、次世代高速データ転送規格「USB3.0」向けデバイスやビデオカメ
後藤弘茂のWeekly海外ニュース - ISSCCに次世代Cell B.E. 45nm版が登場～6GHz動作、電力を30%以上削減
■後藤弘茂のWeekly海外ニュース■ ISSCCに次世代Cell B.E. 45nm版が登場 ～6GHz動作、電力を30%以上削減 ●ISSCCで45nmプロセスへの移行の概要が発表 「Cell Broadband Engine(Cell B.E.)」は、65nmプロセスを経て、45nmプロセスへと向かっている。米サンフランシスコで開催されている半導体カンファレンス「ISSCC(IEEE International Solid-State Circuits Conference)」では、45nmプロセスへのCell B.E.の移行の概要が発表された。現在の65nmプロセスのCell B.E.を、45nmへとシュリンクする。 IBMが昨年(2007年)発表したロードマップでは、45nmプロセスでは現在のCell B.E.だけでなく、大規模構成のCell B.E.も計画されていた。計画の通り
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