エルピーダ、新メモリ「ReRAM」を開発 高速で不揮発性
エルピーダメモリは1月24日、次世代メモリ「ReRAM」（Resistance Random Access Memory：抵抗変化型メモリ）の開発に初めて成功したと発表した。不揮発性ながらNAND型フラッシュメモリと比べて高速で、情報機器用メモリの大幅な省電力化が可能という。来年にも量産開始を目指す。 電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子として使ったメモリ。フラッシュメモリと同様、電源を落としてもデータを保持できる不揮発性で、さらにデータの読み書きが高速かつ消費電力も少ないのが特徴。DRAMとフラッシュのメリットを兼ね備えているとしている。書き換え可能回数は100万回以上とNANDフラッシュの10倍以上という。 試作品は50ナノメートルプロセスで製造し、64Mビットのメモリセルアレイ動作を確認した。今後さらに開発を進め、来年にも30ナノメートルプロセスによるギガビットクラスの製品の
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【福田昭のセミコン業界最前線】 エルピーダ、2013年に8Gbitの抵抗変化メモリを製品化へ
