東芝、省電力・高性能なFPGAを実現する不揮発メモリ混載技術を開発東芝は、フラッシュメモリとCMOSトランジスタを同一チップ内に近接して混載する技術を開発したと発表した。同技術をFPGAに応用することで、低消費電力かつ高性能な不揮発FPGAが実現する。 詳細は、ハワイにて開催された「2014 VLSI Technology シンポジウム」で6月10日(現地時間)に発表された。 近年、カスタムLSIの開発コストが増大しており、チップ製造後に回路情報を任意に書き換えることができるFPGA市場が拡大している。FPGAは主に演算を行うロジック素子と、回路情報の記憶を行うメモリで構成されている。高性能FPGAはロジック素子に揮発性のメモリであるSRAMを用いているため、消費電力が大きいという課題があった。これを解決するため、不揮発性のフラッシュメモリを用いたFPGAが望まれていた。しかし、フラッシュメモリとロジック素子に内蔵されるCMOSトランジスタは、素子構造と
