フォトカプラと光MOS FET（フォトMOS FET,SSR）との違い
フォトカプラと光MOS FETとは、ともに光を使って、電気的には絶縁しながら信号を伝える素子です。しかし、その違いはちょっとわかりにくい面があります。 ここでは、その違いについて解説をします。 構造の違い 次の図は、左がフォトカプラ、右が光MOS FETの原理構造図です。 左図のように、フォトカプラは単純に発光ダイオード(LED)が光って、フォトトランジスタを照らし、その光でフォトトランジスタのコレクタ－ベース間に「光電流」が流れます。 したがって、LEDの光がなければフォトトランジスタはOFF、LEDが強く光ればフォトトランジスタはコレクタ－ベース間に大きな「光電流」が流れ、ON状態になります。 この時、コレクタ－ベース間が単純に短絡状態になった時とは異なり、コレクタ－エミッタ間電圧が、通常のトランジスタのベース－エミッタ間順方向電圧よりも低くなっても「光電流」が流れ、導通します。 一方
フォトカプラ規格の解説
半導体デバイスの規格は、一般的に周囲温度(TA：デバイス周囲の気温)またはパッケージ表面温度（TC）が「25℃」で規定されています。 実際の使用環境はいろいろですが、25℃以外の特性や許容範囲は、ユーザが特性曲線などを使って、自分の設計する装置の使用環境に合わせて計算していただきます。以下は、もっとも一般的なフォトトランジスタ受光型フォトカプラの規格項目の説明です。 絶対最大定格 絶縁耐圧:BV(Vr.m.s.) 入力端子－出力端子間に印加できる交流電圧の最大値を実効値(r.m.s.:Root mean square)で表示し、絶縁耐量を保証しています。 通常、時間無制限ではなく、１分間など試験時間限定で保証される値です。 通常、時間無制限ではなく、１分間など試験時間限定で保証される値です。 動作周囲温度: TA (°C) 通電が可能な温度範囲。 使用周囲温度が上昇すると、一般的に許容損失
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