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フォトカプラ規格の解説
半導体デバイスの規格は、一般的に周囲温度(TA:デバイス周囲の気温)またはパッケージ表面温度(TC)が... 半導体デバイスの規格は、一般的に周囲温度(TA:デバイス周囲の気温)またはパッケージ表面温度(TC)が「25℃」で規定されています。 実際の使用環境はいろいろですが、25℃以外の特性や許容範囲は、ユーザが特性曲線などを使って、自分の設計する装置の使用環境に合わせて計算していただきます。以下は、もっとも一般的なフォトトランジスタ受光型フォトカプラの規格項目の説明です。 絶対最大定格 絶縁耐圧:BV(Vr.m.s.) 入力端子-出力端子間に印加できる交流電圧の最大値を実効値(r.m.s.:Root mean square)で表示し、絶縁耐量を保証しています。 通常、時間無制限ではなく、1分間など試験時間限定で保証される値です。 通常、時間無制限ではなく、1分間など試験時間限定で保証される値です。 動作周囲温度: TA (°C) 通電が可能な温度範囲。 使用周囲温度が上昇すると、一般的に許容損失