「ISSCC 2014」では、NANDフラッシュメモリー(16nm世代)、SRAM(14nm世代)、混載DRAM(22nm世代)とプロセスノードが一気に進展した感があった。「ISSCC 2015」では、テクノロジドライバーであるSRAMのプロセスノードは更新されなかったものの、NAND(15nm世代)や混載DRAM(14nm世代)に進展がみられた。 メモリ分野のセッションは2本立て。計14件がフルペーパーとして発表され、ISSCC 2014(2.5セッション)に比べて、発表件数自体は減った。 2月24日には開催されたSession7「Non-Volatile Memory Solutions」では、日本からの発表(4件)が集中した。「SMALL CHIPS for BIG DATA」という今回の学会テーマにふさわしく、クラウド時代を牽引するメモリー技術が発表された。 NANDに関しては、I