SDメモリカードの規格団体SD Associationは6月26日(現地時間)、転送速度が最速で985MB/秒のSDメモリカードの新規格「SD Express」と、最大128TBまでの大容量規格「SD Ultra Capacity(SDUC)」を発表した。いずれも「SD 7.0」規格として定義し、従来のSDカードとの後方互換性を維持する。
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SDメモリカードの規格団体SD Associationは6月26日(現地時間)、転送速度が最速で985MB/秒のSDメモリカードの新規格「SD Express」と、最大128TBまでの大容量規格「SD Ultra Capacity(SDUC)」を発表した。いずれも「SD 7.0」規格として定義し、従来のSDカードとの後方互換性を維持する。
これほど「迷走」という単語が似つかわしい状況もないでしょう。これまで東芝のメモリー事業売却は、当初交渉を進めていた日米韓連合ではなく、Western Digitalに優先交渉権を付与する方向で調整が進んでいました。しかし、1週間経っても目処が立たないことから、Western Digitalとの月内合意は白紙となり、新たにAppleが加わった日米韓連合との提案などとも比較し、引き続き検討を続ける方針であることが分かりました。 東芝の足枷となってきたWestern Digital 優先交渉権を得られなかった時点で、Western Digitalは東芝に対して法的措置も辞さない態度を示しており、日米韓連合と話し合いを進めるうえでの障壁となってきました。 売却までのタイムリミットが近づいていることから、東芝は24日、Western Digitalに独占的な交渉権を付与する方針を固めていましたが、両
Appleが今年発売見込みのiPhone7s/7s Plus/8に搭載されるNAND型フラッシュメモリの供給に不安があるため、Samsungに供給を要請している模様です。 歩留まりの低さから供給不足に AppleのiPhoneには、iPhone7から3D NANDフラッシュが搭載されており、その供給は東芝とSK Hynixが担当しています。 しかしDigiTimesが業界関係者から得た情報によれば、SK Hynixと東芝の両社がともに3D NANDフラッシュの予想よりも低い歩留まりに苦しんでいるようです。そのため現状のままだと、iPhone7s/7s Plus/8向け3D NANDフラッシュは、必要数よりも最大で30%不足する見通しとのことです。 Apple、Samsungに供給を要請か Appleはこうした状況を受け、3D NANDフラッシュの生産技術を持ち、歩留まりも比較的安定している
AppleのDRAMサプライヤーとしても知られるMicronの台湾工場で5日、窒素ガスを分配するシステムが機能停止に陥り、工場が汚染されるというニュースが報じられました。これについてMicronは、生産能力に大きく影響を及ぼすような事態にはなっていない、との声明をただちに発表しました。 生産能力に大きな影響を及ぼしはしないと発表 窒素ガスによって工場が汚染されたことで、生産したウェハの半分を廃棄したとの報道や、1カ月あたり6万枚分の生産能力が削がれたことで世界的なDRAM生産能力が5.5%落ちるといった報道が出ており、同社のLPDDR4を採用しているとみられるiPhone8への影響が懸念されていました。 しかし、新たにMicronが発表した声明によると、工場内でアクシデントは発生したものの、窒素ガスの漏洩や従業員が避難する羽目になるといった大きな事件には発展していないとのことです。また、工
本日、DigiTimesが、業界筋の話として、SK Hynixと東芝の3D NANDフラッシュ技術の歩留まり率が予想を下回っていることから、今年発売される新型「iPhone」シリーズの供給が少なくなるようだと報じています。 新型「iPhone」向けNANDフラッシュチップの供給は需要を30%も下回っており、Samsungは3D NANDフラッシュ技術の歩留まりが比較的安定していて生産を拡大している事から、Appleは「iPhone」向けNANDチップの供給を増やすようSamsungに要求しているようです。 なお、3D NANDは従来のNANDフラッシュメモリを3次元(3D、立体)構造にしたもので、従来のNANDを積層して面積当たりの容量を増やし、製品容量を増加させようとして開発された技術となっています。
iPhone8が他ベンダーのスマートフォンに影響を与えるのは、デザインばかりではありません。iPhone8の登場によって膨大な部品が調達ため、スマートフォン向けのDRAMやNANDチップなどが市場で枯渇傾向にあります。 搭載するチップを変更しなければいけないメーカーも Reutersによると現在、複数のスマートフォンメーカーがメモリーメーカーに対し、「プレミアムを払ってまで長期契約で部品を確保している」状況にあるのだそうです。この理由とされるのが、Appleによる“特需”です。 匿名を希望する関係者は「とりわけNAND市場では、売り上げ量の多いiPhoneは、需要に対する重要な源泉を保持している。さらにiPhoneはこのところ、ストレージの容量を増大する傾向にある」と語ります。NANDチップについては、年間に市場へ供給されるうち、18%をAppleが占めているとされています。 大まかに言え
東芝の半導体メモリ事業の買収を目指す、Foxconnとして知られる鴻海精密工業が主導する企業連合に、Appleの参加が確実だ、と鴻海の郭台銘(テリー・ゴウ)会長が明言しました。連合には、DellやKingstonが参画のほかAmazonやGoogle、Microsoft、Ciscoといった大手IT企業も参画に向けて協議中とのことです。 AppleのクックCEOと取締役会が買収への参画を承認 鴻海の郭会長は今月初め、東芝の半導体メモリ事業買収にあたりAppleやAmazonと連携する意向を語っていましたが、企業連合はさらに大規模なものになるようです。 Appleのティム・クック最高経営責任者(CEO)と取締役会が、鴻海主導の企業連合への参画を承認しているほか、4月には独自に買収交渉に乗り出すと見られていたGoogleなどのアメリカIT大手も相乗りする可能性があります。 各社の投資額は明かされ
絶好調なニンテンドースイッチ…だけど、Appleとパーツの取り合いに?2017.06.01 18:056,533 塚本直樹 かといって、譲るわけにもいかないし…。 いまだに品薄状態が続く、絶好調なNintendo Switch(ニンテンドースイッチ)ですが、ちょっと気になる報道が登場しました。MacRumorsが取り上げたThe Wall Street Journalの報道によると、ニンテンドースイッチはApple(アップル)などとパーツの取り合い状態になっているというのです。 同紙が業界筋からの情報として報じたところによると、Appleなどのスマホメーカーによるハイエンド製品向けパーツの生産拡張が、ニンテンドースイッチへの部品供給の妨げとなっているんだとか。フラッシュメモリのチップや液晶ディスプレイ、Joy-Con(ジョイコン)のためのHD振動パーツが不足しており、とくにフラッシュメモリ
台湾のメディアDigiTimesは1月17日に、台湾のPhison ElectronicsのKhein Seng Pua代表の話として、チップメーカーが現在2D NANDから3D NAND(64層)へのテクノロジー転換の過渡期にあり、それによって一時的に供給の逼迫状態が予想よりもタイトになるとみられ、2017年のスマートフォンのNANDフラッシュメモリに対する需要は相変わらず非常に高いままであろう、という報道をしていた。 東芝がNANDフラッシュメモリ事業をウェスタンデジタルに売却? そして先週金曜日の韓国のThe Korea Herald newspaperの先週金曜日の報道によれば、Appleのフラッシュメモリのサプライヤーである東芝(TOSHIBA)は恐らくNANDフラッシュメモリ事業をウェスタンデジタル(Western Digital)に売却するもようだ、と伝えられている。アナリス
ホームAppleiPhone【iPhone 7】32GBモデルと128GB/256GBモデルでストレージ性能に差があると話題なので、実際に測定してみた 【iPhone 7】32GBモデルと128GB/256GBモデルでストレージ性能に差があると話題なので、実際に測定してみた 2016 10/19 本日、Unbox Therapyが公開した「iPhone 7」のストレージ性能を比較したテスト映像から、32GBモデルの書き込み速度は256GBモデルの書き込み速度よりも8倍遅かったことが話題になっていますが、私自身が所有しているiPhoneでも同様のテストを実施してみました。 ストレージ性能の測定に利用したアプリはUnbox Therapyと同じ「PerformanceTest Mobile」で、各iPhoneとも「iOS 10.0.2」で初期化した状態で行い(「iPhone 5」のみ「iOS
フラッシュメモリを用いたフラッシュストレージは非常に高性能な一方で、容量あたりの価格が高いことが課題でした。 しかし高価なフラッシュメモリも、大量生産と製造プロセスの微細化などによる価格下落により、いつかはハードディスクドライブよりも安価になると考えられていました。問題はそれがいつになるか、でした。 ストレージ最大手のEMCは、それが今年、2016年であると表明しました。 EMCで製品およびマーケティング担当プレジデントを務めるJeremy Burton氏は、日本時間3月1日早朝に行われたイベント「Quantum Leap」において「2016年はフラッシュドライブの価格下落が1万5000回転の高性能ハードディスクドライブの価格下落を追い越す境目の年になる」と発言しました。 「いまやフラッシュドライブの方が1万5000回転のハードディスクドライブよりも安いのだ。 そこでわれわれはここに、20
データの寿命をあらかじめ設定し、その時点で自動的にデータが壊れるメモリシステムを、中央大学理工学部の研究グループが開発した。記憶媒体にフラッシュメモリを採用したシステムで、SNSに使えばプライバシー保護のための「忘れられる権利」を実現するとしている。 新システム「Privacy-protection Solid-State Storage(PP-SSS)System」は、フラッシュメモリに保存されたデータを、ユーザーが決めた時点で自動的に壊し再現不能にする仕組み。中央大理工学部の竹内健教授のグループが開発した。 フラッシュメモリのエラー確率が高い精度で予測できる特徴を利用し、データをメモリに書き込む時点で、寿命に応じた所定の数のエラーを意図的に注入。指定した時点でデータを壊し、誤りが訂正できないようにする。データを意図的に誤るように制御する仕組みのため、メモリデバイス自体は物理的には破損し
東芝が2013年8月から建設を進め、東芝とSanDiskが「NAND型フラッシュメモリのパイオニア」として生産・販売を行う設備の導入を進めてきた東芝四日市工場・第5製造棟(第2期分)が竣工し、生産を開始しました。また、三次元構造のNAND型フラッシュメモリ(3Dメモリ)の専用設備となる新・第2製造棟の建設が開始され、竣工・起工式と工場見学などが行われたので、現地に行って見てきました。 東芝:プレスリリース (2014-09-09):東芝四日市工場の第5製造棟(第2期分)の竣工及び新・第2製造棟の起工について http://www.toshiba.co.jp/about/press/2014_09/pr_j0901.htm SanDisk Corporation - 東芝四日市工場の 第5製造棟(第2期分)の竣工及び新・第2製造棟の起工について http://newsroom.sandisk
フラッシュメモリ死亡...なんて危機が、昔話になってしまうかも。 フラッシュメモリは速くて安定していますが、欠点がないわけじゃなりません。たとえば、何度も何度も書いたり消したりしているうちに「摩耗」する傾向があったりします。 でも、そんな問題に対処できる技術が登場しました。これによって、従来のものよりはるかに長持ちする自己回復型NANDフラッシュメモリが実現するかもしれません。 この技術は、台湾で「NOR型フラッシュメモリ」や「NAND型フラッシュメモリ」を製造するマクロニクス社が、後者を長持ちさせるためのカギとして熱に着目したところから開発されました。メモリを華氏480度(摂氏約249度)前後で数時間焼くと、寿命を伸ばせるのです。ただ、長時間焼く処理が非現実的なのが問題でした。 マクロニクスではより現実的な方法を模索し、超高温ヒーター搭載チップを開発しました。チップ全体を焼くのではなく、
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