『iPhone 6 Plus』128GBモデル、TLCセル不具合でリコールか『iPhone 6 Plus』128GBモデルを購入した一部ユーザーでアプリのクラッシュや再起動が繰り返される不具合が報告されており、その原因として搭載するフラッシュメモリによる可能性が海外メディアに指摘され話題となっています。 BusinessKoreaが11月3日に投稿した記事によると、一連の不具合に関する原因は『iPhone 6 Plus』128GBモデルに搭載されているNAND型フラッシュメモリのコントローラーICにあるとしています。 NAND型フラッシュメモリにはデータの読み書きが最も高速ながら高価な2値1ビットを記録する方式の「SLC」（Single Level Cell）と、製造コストが抑えられる4値2ビット以上を記録する方式「MLC」（Multi Level Cell）の2種類があり、さらにコスト製造を抑えることができる8値3ビットの記録方式を電荷量の区別として「TLC」(
