東京工業大学 | 最近の研究成果 | 研究成果詳細研究成果詳細 高性能の薄膜トランジスターに関する特許のライセンス契約をサムスン電子と締結 日本の基礎研究の成果が世界のディスプレイ業界へ大きく展開 要約 【概要】 JST(理事長：北澤 宏一)は平成23年7月20日に、東京工業大学(学長：伊賀 健一)の細野 秀雄 教授らが発明した高性能の薄膜トランジスター(TFT：Thin Film Transistor) 注1)に関する特許のライセンス契約を、サムスン電子株式会社(本社：ソウル特別市、代表取締役CEO：崔 志成)と締結しました。 細野教授は1995年に、高い電子移動度を備えた「透明アモルファス酸化物半導体(TAOS：Transparent Amorphous Oxide Semiconductors) 注2)」の設計指針を提唱しました。 研究の内容，背景，意義，今後の展開等 【概要】 JST(理事長：北澤 宏一)は平成23年7月20日
サムスン電子、テレビ用液晶パネルを8割減産へ＝韓国紙 | ビジネスニュース | Reuters
