【福田昭のセミコン業界最前線】 3D NAND技術と3Dクロスポイント技術、安いのはどちら?
ムーアの法則は終わるのか? - ポストムーアの時代を考える(3) ポストムーア時代の鍵を握る接続の改善
コンピュータの電力効率を高めるために何をすべきか? 1946年に完成したENIACでは1万7000本の真空管を使ったが、それらをつなぐため人手で500万カ所のはんだ付けを行ったという。集積回路の貢献は、1万7000本の真空管に相当するトランジスタを集積したこともあるが、500万カ所のはんだ付けを集積したことが重要であるという。 トランジスタ単体の消費電力が減らず、性能が上がらなくなるポストムーアの時代には、電力の低減を行わないと性能を上げることはできなくなる。そして、そのために重要な技術が、接続の改善であると黒田先生は言う。 現在の接続の主流は、機械式(配線、はんだ付け、コネクタ)接続であるが、これを電子式(近接場結合)に革新することで接続のバンド幅や消費電力を改善することができるという。 電磁波(光を含む)は近接場と遠方場があり、遠方場は電波として遠くまで届くが、近接場は距離が離れると急
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ：マスク4枚を追加するだけの低コスト製造対応（1/4 ページ） 不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を開発した。通常のCMOSプロセスに3～4枚のマスクを追加するだけで実現できるといい、2016年中の量産対応を目指す。 産革機構も出資 システムLSIの設計が大きく変わるかもしれない。 不揮発性メモリIPを手掛ける新興企業 フローディアは、システムLSIの任意の位置に配置できる混載フラッシュメモリ技術「LEE Flash-G2」を開発した。2016年末にも同技術を用いた90nmプロセスによるシステムLSIの量産が始まる見込み。順次、55nmプロセスなどファウンドリ各社の微細プロセスへの対応を進め、LSI設計者にとって使いやすい不揮発性メモリとして幅広い普及を狙う。 プログラムやロ
【ISSCC】信頼性を従来比32倍に改善できるNAND/ReRAM統合ストレージ・システム、中央大学が開発
中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らの研究グループは、NANDフラッシュ・メモリと抵抗変化型メモリ（ReRAM）を組み合わせた統合ストレージ・システムにおいて、信頼性を従来比32倍に改善できる制御技術を開発した。詳細を「ISSCC 2013」で発表する［講演番号12.9］。
ISSCC 2012 - 東大など、固体記憶媒体SSDメモリに関する3つの技術を開発
東京大学大学院工学系研究科の竹内健 准教授、慶應義塾大学理工学部の黒田忠広 教授と石黒仁揮 准教授らの研究チームは2月20日、非接触型の固体記憶媒体ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)メモリの研究開発において、3つの革新技術を開発したことを発表した。同研究成果の詳細は、2012年2月19日から23日(米国西部時間)に米国・サンフランシスコで開催されている「国際固体素子回路会議(ISSCC 2012)」で発表される予定。 今回発表された内容は、フラッシュメモリの寿命を最大10倍(実験値)に延ばす誤り訂正回路を有するメモリシステム、メモリモジュールを回路基板に載せるだけでプロセッサと双方向通信できる世界最高クラスの速度(1ピン当たり7Gbps)の非接触メモリシステム、最大0.52Wの電力を数μsの応答速度(従来比2桁高速化)で伝送できる非接触給電システムを開発したというもの。 今回の開発技術
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【イベントレポート】 【VLSI 2012レポート】 NANDフラッシュ/DRAMの限界論に見え隠れする各社の思惑
高集積のNAND型相変化メモリを中央大学の竹内教授らが提案、3次元メモリへの適用を視野