携帯電話用半導体を巡って繰り広げられた「ババ抜き」
携帯電話用半導体を巡って繰り広げられた「ババ抜き」：この10年で起こったこと、次の10年で起こること（6）（3/3 ページ） 繰り広げられた売買の背景にあったもの 図2には描き切れていないが、2000年代半ば以降には半導体メーカーのM&Aが続々と起こっている。QualcommによるAirGo Networks（2006年）、Atheros Communications（2011年）の買収、MediaTekによるRalink Technologyの買収（2011年）など通信用半導体の売買が活発に行われた。この後、すぐに到来するスマートフォンの時代に向けた準備は、実際には2000年代後半から2010年代前半かけて進んでいたかのようだ。 Infineonはスマートフォン時代開花の前に通信用半導体事業の売却に成功している。さらに先に記したようにTI、ADIらは撤退や売却を果たしている。その後の中国
あの「HG創英角ポップ体」の元となった直筆生原稿を見た
まちを歩くと、なにかとめにつく「HG創英角ポップ体」。ポスターや看板などあらゆる場所でみかける。 たまに、シリアスな注意書きの看板に、にぎやかでたのしげな雰囲気のポップ体がつかわれたりして、おもしろ写真としてネットで話題になったりする。 そんな「HG創英角ポップ体」をつくったひとはどんなひとなんだろう？
ソフトバンク孫社長の「スプリントのV字回復」宣言は本物か
5月10日に行われたソフトバンクグループの2015年度3月期決算において、代表取締役社長の孫正義氏は同傘下の米携帯キャリア「スプリント」の「V字回復」など、反転攻勢に入ったことを宣言した。2013年7月の買収完了以降、重くのしかかる設備投資や販促費用からくる赤字体質と顧客流出に悩まされ続けてきたスプリントは、長らくソフトバンクにとってお荷物的存在だと考えられてきた。孫氏の宣言は本物なのかを検証しながら、米国の携帯電話業界とスプリントに起きつつある変化をみていく。 2015年度3月期決算発表会で、その時間の多くを割いてスプリントの業績改善とV字回復をアピールするソフトバンクグループ代表取締役社長の孫正義氏 「V字回復宣言」にまつわる根拠を探る スプリントの業績の詳細は同社の四半期決算のプレスリリース(PDF形式)またはソフトバンクの決算説明会でのプレゼンテーション資料(PDF形式)を参照して
CPU間データ通信速度で32Gbpsを達成、富士通研が新たな送受信回路を開発
なお、富士通は、サーバ向け製品である「SPARCプロセッサ」やASSP、ASICといったシステムLSI事業は、パナソニックのシステムLSI事業と統合し、マーケティング・設計・開発機能に特化した「ファブレスSoC新会社」として分離独立させる計画である。しかし、今回発表した送受信回路のような、次世代サーバ向けCPUなどに搭載する基盤技術については、富士通研究所をはじめとした富士通グループで研究開発を続ける方針だ（関連記事）。 次世代サーバのボトルネック 現在、CPUに搭載するプロセッサコアの性能向上と同時に、1つのCPUに多数のプロセッサコアを搭載して並列処理させるメニーコア技術の導入などにより、システムレベルのデータ処理性能は大幅に向上している。こうした中で、さらなるデータ処理性能の向上を目指すために複数のCPUを搭載するサーバのような機器の場合、CPU間におけるデータ通信速度がボトルネック
25Gbpsの高速光伝送を、5mW/1Gbpsの低消費電力で実現
25Gbpsの高速光伝送を、5mW/1Gbpsの低消費電力で実現：新技術 CPU間光伝送（1/2 ページ） 富士通らは、CPU間の光伝送について、25Gbpsの高速伝送を1Gbps当たり5mWで実現する技術を開発した。従来は3V以上の電源電圧で光素子を駆動していたが、0.8Vで駆動できるようになり、低消費電力化も図れているという。 富士通、富士通研究所、Fujitsu Laboratories of America（FLA）、技術研究組合 光電子融合基盤技術研究所（PETRA）、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は2015年2月23日、サーバやスーパーコンピュータ（以下、スパコン）のCPU間高速データ通信を、1ギガビット/秒（Gbps）当たり5mWで実現するシリコンフォトニクス技術を用いた光送受信回路を共同開発したと発表した。同技術は、2015年2月22～26日に米国で開催され
スピン注入型MRAMの不都合な真実
MTJを構成する残りの要素 国際会議「IEDM」のショートコースでCNRS（フランス国立科学研究センター）のThibaut Devolder氏が、「Basics of STT-MRAM（STT-MRAMの基礎）」と題して講演した内容を紹介するシリーズの第14回（最終回）である。 前回は、磁気トンネル接合（MTJ）を構成する主な要素の1つ「自由層」を解説した。今回は、MTJを構成する残りの要素を説明する。残りの要素とは、「固定層」や関連する磁性層、電極、中間層、下地（基板）などである。 47層もの超多層膜が必要となるスピン注入MRAM用MTJ これまでは磁気トンネル接合（MTJ）素子を、3層構造（固定層／トンネル層／自由層）で説明してきた。この単純な構造は間違っていはいないが、スピン注入型MRAM（STT-MRAM）を想定して研究されている実際のMTJとは、かなり違う。3層の簡素な構造を使用
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