スピン注入型MRAMの不都合な真実

MTJを構成する残りの要素 国際会議「IEDM」のショートコースでCNRS（フランス国立科学研究センター）のThibaut Devolder氏が、「Basics of STT-MRAM（STT-MRAMの基礎）」と題して講演した内容を紹介するシリーズの第14回（最終回）である。 前回は、磁気トンネル接合（MTJ）を構成する主な要素の1つ「自由層」を解説した。今回は、MTJを構成する残りの要素を説明する。残りの要素とは、「固定層」や関連する磁性層、電極、中間層、下地（基板）などである。 47層もの超多層膜が必要となるスピン注入MRAM用MTJ これまでは磁気トンネル接合（MTJ）素子を、3層構造（固定層／トンネル層／自由層）で説明してきた。この単純な構造は間違っていはいないが、スピン注入型MRAM（STT-MRAM）を想定して研究されている実際のMTJとは、かなり違う。3層の簡素な構造を使用

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スピン注入型MRAMのMTJは、例えば47層もの超多層膜で構成される。しかも各層の厚みは極めて薄く、原子層レベルで厚みを制御しなければならない。スピン注入MRAMの最大の弱点。