iPhone6のRAMが1GBというのは誤り？SoCメモリ専門家の指摘 | 小龍茶館
海外メディア9to5Macによると、昨日当ブログでもお伝えしたApple（アップル）の次世代iPhone「iPhone6」のRAMが現行のiPhone5sと同様1GBに留まるというリーク情報は間違っている可能性があるという。 昨日の情報元のGeekBar張磊の情報では、上記の図によってRAMは1GBであるという「確定情報」を流していたが、9to5Macの報道ではSoCメモリエンジニアのTodd DeRegoが、この回路図のような図面ではこれがDRAMインターフェイスであるかどうかという十分な証拠にならないと述べているという。DeRegoは更に両脇の「AP_TO_NAND」という文字が、アプリケーションプロセッサであるNANDにリンクしていることを示しており、このメモリはファームウェアの起動のためのメモリで、iPhoneのメインメモリなどではないと指摘している。いずれにせよRAMに関しての噂
既に回路図が流出？iPhone6のRAMは1GBで大幅に省電力化 | 小龍茶館
Apple（アップル）の次世代iPhone「iPhone6」のスペックのリーク情報が中国GeekBarの張磊からここ数日小出しにされている。今日はiPhone6のRAM（内蔵メモリ、Random Access Memory）の情報が載せられた。 張磊の文章が大変面白いのでそのまま訳したいと思う（不適切な表現のみ少し和らげさせていただいた）。 GeekBar張磊の1GBメモリの紹介 AndroidスマホのRAMは留まるところなく増加しており、現在3GBのものまで登場している。しかしジョブズ様を崇めるApple教のダイヤモンド級信者の私としてはiPhoneもそのくらいに進化して欲しいものだ。しかし現実というのは残酷なもので、GeekBarが手に入れた情報はiPhone6も以前と同じ1GBのRAMというものだった。恐らくApple信者の方は少し失望されたかもしれない。 でも、思い出してほしい。A
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