半導体プロセスまるわかり リーク電流解決の切り札HKMG (1/3)前回はゲート絶縁膜を薄くしすぎてゲート・リーク電流がすさまじいこと解説した。リーク電流の解決のために導入されたのがHKMG(High-K Metal Gate)と呼ばれる材料である。それについて、引き続きインテルの資料を使いながら順を追って説明したい。 そもそもなぜゲート絶縁膜を薄くする必要があるのかをおさらいしよう。図1はインテルのプレゼンテーションにならった形でトランジスタの構造を描いたものだ。 MOSFETの場合はゲート電極とシリコンの間に絶縁膜を設けると、ここが事実上コンデンサーを形成することになり、このコンデンサーの蓄電/放電でスイッチのOn/Offが行なわれることになる。コンデンサーの容量が大きいほど、スイッチングのOn/Offが高速化する。というわけで、うまくコンデンサーの容量を増やしてやればよい。ところが以下のジレンマに陥っていた。 容量を大きくするには面積を増やせばよいが
