ファブレス - Wikipedia
ファブレス（fabless）とは、その名の通りfab（fabrication facility、つまり「工場」）を持たない会社のこと[1]。工場を所有せずに製造業としての活動を行う企業を指す造語およびビジネスモデルである。 概要[編集] 具体的には、製品の企画、設計、開発は行うが、製品製造のための自社工場は所有せず、製造自体はEMSに全てか大半を委託し[1]、製品はOEM供給を受ける形で調達し、自社ブランドの製品として販売する。ファブレスの形態でも自社工場を所有しているメーカーは存在するが、この場合は修理工場としての機能（アフターサービス）に特化していたり、製造機能を持っていたとしてもEMSに委託しにくい特殊な少量受注生産品など、極小規模な生産機能に限定される。 ファブレス業態の企業は、現在ではコンピュータ、食品、玩具（ホビー）などさまざまな業種で見られるようになっている。 ファブレスが主
共同発表：トランジスターの理論限界を突破 次世代省エネデバイス実現へ
平成２４年６月１３日 科学技術振興機構（ＪＳＴ） Tel：03-5214-8404（広報課） 北海道大学 Tel：011-706-2610（広報課） ポイント スイッチング特性の良さを示すサブスレッショルド係数で世界最小の２１ｍＶ／桁を達成 現在の半導体集積回路に比べ回路全体で消費電力を１０分の１以下に低減が可能 デジタル家電の待機電力を大幅カット、モバイル機器電池の消耗を半分に低減する夢の省エネデバイスへ道 ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、ＪＳＴ さきがけ専任研究者の冨岡 克広、北海道大学 大学院情報科学研究科の福井 孝志 教授らは、半導体中のトンネル効果注１）を用いることで、従来のトランジスター（電子の流れを電圧で制御してオンオフするスイッチ素子）の理論限界を大きく下回る低消費電力トランジスターの開発に成功しました。この素子はあらゆる電子機器の省エネルギー技術へ応用できます。
半導体メモリー記録密度10倍に？ 北海道大
引用元：侮日新聞 （上略） 半導体メモリーは、ノートの文字が小さいほど多くの情報が書き込めるように、基板に回路を書き込む「メモリー線」が細いほど記憶容量が大きくなる。現在は光を使って書き込まれ、パソコンなどでの線幅は35～45nm。しかし「国際半導体技術ロードマップ」によると、今の技術で線幅を縮めても10nm前後で頭打ちとなり、記憶容量は2022年ごろに限界を迎えるため、代替技術が研究されている。 チームは、基板の材料としても使われるニッケルや金などの金属を、厚さ5～20nmの薄膜に加工。その膜の厚みをメモリー線として使い、書き込みに必要な電流の制御に成功。理論上、書き込む密度を現状の約１０倍に増やせるという。この技術では発熱の原因となる電気抵抗も1000分の1以下に抑えられた。海住助教は「より多くの情報を処理でき、省エネにもなる。実用化を目指したい」と話す。4 ：名無しのひみつ：2012
GPU黒歴史 DX11への遅れが生んだ駄作 GeForce GTX 480 (1/3)
GPU黒歴史編の第10回は、NVIDIAの「GeForce GTX 480」を取り上げる。「NVIDIA Hair Dryerの再来」とまで呼ばれた、と書けばもう大体想像がつこうというもの。もっとも今度はアーキテクチャーの問題ではなかった。GTX 480の話は、連載14回と87回でも取り上げているが、改めてGTX 480についてまとめてみたい。 DirectX 10では先行するも、 DirectX 10.1対応で出遅れたNVIDIA 2006年11月にNVIDIAは、「G80」コアの「GeForce 8800 GTX」をリリースする。これはDirectX 10に対応した同社初の製品であり、競合するATIを買収したAMDに先んじて、この分野での製品投入に成功した。AMDがDirectX 10に対応した「R600」コアの「Radeon HD 2900 XT」をリリースしたのは2007年5月だか
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