Samsung、3nm「GAA FET」の量産を2021年内に開始か:18年後半にはEUV適用の7nmも Samsung Electronicsは、米国カリフォルニア州サンタクララで2018年5月22日(現地時間)に開催したファウンドリー技術の年次フォーラムで、FinFETの後継アーキテクチャとされるGAA(Gate All Around)トランジスタを2021年に3nmノードで量産する計画を発表した。 Samsung Electronicsは、米国カリフォルニア州サンタクララで2018年5月22日(現地時間)に開催したファウンドリー技術の年次フォーラムで、FinFETの後継アーキテクチャとされるGAA(Gate All Around)トランジスタを2021年に3nmノードで量産する計画を発表した。2018年下半期にEUV(極端紫外線)リソグラフィを使用した7nmチップの生産を開始する計画
