会期:4月29日~5月1日(技術講演会のみ、現地時間) 会場:米国アリゾナ州Hyatt Regency Phoenix at Civic Plaza 2008 IRPSが5月1日(現地時間)に閉幕した。2008 IRPSレポートも今回をもって最終回となる。最後に、メモリ関連の注目発表をいくつか紹介したい。 IntelとMicron Technologyは共同で、マルチレベルセル(MLC)方式のNANDフラッシュメモリの不良モードを解析し、その結果を報告した(Mielkeほか、講演番号1.3) 1個のメモリセルに2bit以上のデータを記憶するMLC方式では、1bitを記憶するシングルレベルセル(SLC)とは異なる不良モードが生じる。NANDフラッシュメモリではMLC方式が主役になりつつあるので、不良モードの解析は、今後の信頼性向上に大きく役立つ可能性が高い。 IntelとMicronがテスト