共同発表：半導体デバイスの高速化・省電力化の限界は、流れる電子の数で決まる 技術開発のロードマップにも影響する理論的限界を解明半導体デバイスの高速化・省電力化の限界は、流れる電子の数で決まる 技術開発のロードマップにも影響する理論的限界を解明 早稲田大学 理工学術院（新宿区大久保３－４－１）の渡邉 孝信 教授、神岡 武文 次席研究員らは、電子がバラバラの粒子であることから生じる本質的な電流雑音により、半導体ＬＳＩの高性能化の限界が決まることを、シミュレーションを用いた検討によって明らかにしました。数１０ＧＨｚから１００ＧＨｚの動作周波数領域で、ＬＳＩの素子を流れる電子の数が大きくばらつき、正常に動作しなくなると予測されます。電子数の変動による雑音は本質的に避けられないため、これがＬＳＩの動作周波数の限界を決定すると考えられます。これらの成果は、半導体デバイスの高速化や省電力化の理論的限界を明らかにしたという点で、今後の半導体集積回路技術開発のロードマップに影響を与えるものとなります。なお、本研究はＪＳＴの戦略的創
