半導体用黒鉛製品の処理能力1.2倍、東洋炭素が炉を新増設 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
東洋炭素は海外の連結子会社で、半導体用途などで使用される高純度黒鉛製品の高純度処理能力を増強する。米国や中国で高純度化処理炉を増設するほか、イタリアでは新設する。投資額は約１５億円。２０２４―２５年内に順次稼働を始め、海外での処理能力を２２年度比約１・２倍に引き上げる。また、国内でも炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体向けの需要に対応する設備投資も行う。 国内では高純度化した製品について、ＴａＣ（炭化タンタル）をコーティングするＴａＣ被覆黒鉛製品の生産能力を増強する。大野原生産技術センター（香川県観音寺市）内に製造設備を増設。投資額は非公開。２５年に稼働する計画で、処理能力は２３年度比で約２倍になる。 同社は２３―２７年の５年間で総額５１５億円の設備投資を計画しており、今回の投資もその一環。
inreviumについて｜inrevium｜東京エレクトロンデバイス
東京エレクトロンデバイスでは、商社としての技術力・マーケティング力をベースに評価ボード、LSI、ソフトウェアなど設計・量産へ向けてお客様の開発を支援する設計・量産受託サービス（デザイン&マニュファクチャリングサービス）と、市場ニーズに応えて自社のもつ情報・技術・サービスを商品化した自社開発商品および他社協業における共同開発商品をインレビアムで提供しています。 自社ブランド「inrevium（インレビアム）」は Intellectual（知的な） × Inter（内在する）× Revolutionary（革新的な）× -ium（要素）などの単語の一部を組み合わせた造語です。 当社が持つ情報・技術・サービスなどの製品化を通じて、お客様の抱える課題を解決し、事業活動に貢献していきたいとの強い意味が込められています。 最先端の半導体を搭載し、ネットワークシステムなど様々なアプリケーションに最適な評
デンソーとUSJC、車載パワー半導体の出荷を開始
デンソーは、ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン（USJC）の300mmウエハーラインで製造したIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）の出荷を始めた。 新設の製造ラインが稼働、2025年に月産1万枚の生産量を目指す デンソーは2023年5月10日、ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン（USJC）の300mmウエハーラインで製造したIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）の出荷を始めたと発表した。 USJCは、台湾UMC（United Microelectronics Corporation）が2019年9月に旧三重富士通セミコンダクター（三重県桑名市）を買収して誕生した半導体製造委託メーカーである。デンソーとUMCおよびUSJCの3社は2022年4月に、IGBTの生産で協業することを発表。これを受けてデンソーとUSJCは、2023年上期の生産開始に向け、300mmウエ
HIOKIとマクニカ、カーボンニュートラルへ向け自動運転EVバスを導入した取り組みを開始 | IoT NEWS
2023-05-12 HIOKIとマクニカ、カーボンニュートラルへ向け自動運転EVバスを導入した取り組みを開始 日置電機株式会社（以下、HIOKI）と株式会社マクニカは、カーボンニュートラルへ向け、自動運転EVバスを導入した取り組みを、2023年5月11日より開始した。 また、それに伴い、HIOKI本社工場とその周辺の公道にて、自動運転EVバスの走行実証実験の準備を開始する。 なお、今回の実証実験は上田市、上田電鉄株式会社、上田バス株式会社、千曲バス株式会社からの協力・支援を受けて実施される予定だ。 想定ルートは協議段階だが、本社工場周辺の公道が想定されている。EVバスには、レベル3自動運転システムが搭載されたNAVYA社の「ARMA」が利用される。（運行時はレベル2で走行） 今回の実証実験を通じてHIOKIは、社員育成や自動運転EVバスを含めた様々な施策の検討、試行を通じた複合的なCO2
DENSO、SiCパワー半導体を用いたEV等車載向け最新インバーター開発 Lexus RZに搭載
デンソーと豊田中央研究所との共同開発による高品質化技術をもとに、NEDO委託業務によって完成したSiCエピタキシャルウェハーを活用したSiCパワー半導体を用いた車載用インバーター 大手自動車関連部品メーカーのデンソーは、同社初となるSiC（シリコンカーバイド）パワー半導体を用いたインバーターを開発した。この製品は高効率なインバーターで、電気自動車（EV）の電力損失を大幅に低減する大きな特徴を持つ。インバーターには、BluE Nexus社の電動駆動モジュール「eAxle」に組み込まれ、3月に発売開始されたLEXUS初の電気自動車（BEV）専用モデル、新型「RZ」に搭載された。 今回搭載されているSiCパワー半導体は、シリコン（Si）と炭素（C）で構成され、電力損失を大幅に低減する半導体の材料でつくられている。デンソー独自のトレンチMOS構造を採用したSiCパワー半導体により、高耐圧と低オン抵
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