フラッシュメモリは中性子線ソフトエラーに強い。この常識が覆された。フラッシュメモリでも中性子線ソフトエラーが起こることが、IEDM 2008で証明された。Padova University(イタリア)、Numonyx R&D(イタリア)、STMicroelectronics(フランス)、ESA/ESTEC(オランダ), University of Jyvaskyla(フィンランド)、Rutherford Appleton Laboratory(英国)、CNR-ISOF(イタリア)、Universita di Roma Tor Vergata(イタリア)、University di Milano(イタリア)、University of Central Lancashire(英国)と欧州各国の組織が参加した共同研究の成果である(講演番号14.6)。 中性子線が半導体メモリにソフトエラー(一過性