【レポート】IEDM 2008 - フラッシュメモリにも中性子線ソフトエラーが発生 | エンタープライズ | マイコミジャーナル

フラッシュメモリは中性子線ソフトエラーに強い。この常識が覆された。フラッシュメモリでも中性子線ソフトエラーが起こることが、IEDM 2008で証明された。Padova University(イタリア)、Numonyx R&D(イタリア)、STMicroelectronics(フランス)、ESA/ESTEC(オランダ), University of Jyvaskyla(フィンランド)、Rutherford Appleton Laboratory(英国)、CNR-ISOF(イタリア)、Universita di Roma Tor Vergata(イタリア)、University di Milano(イタリア)、University of Central Lancashire(英国)と欧州各国の組織が参加した共同研究の成果である(講演番号14.6)。 中性子線が半導体メモリにソフトエラー(一過性

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高信頼性システムに置ける考慮事項。ストレージとして使われている分、エラーが蓄積して訂正不可能になる可能性は大きくなるような。

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中性子線によるビットエラーよりも、セル自体の不良の発生のほうが可能性が高いだろうから実際には問題とはならないだろうね