Snapdragon - Wikipedia
Snapdragon（スナップドラゴン）とは、アメリカのQualcomm（クアルコム）社が製造するモバイルSoCのシリーズである。日本では通称で「スナドラ」と略すこともある[1]。 Snapdragon搭載端末に搭載される、Qualcommが開発する急速充電規格についてはQuick Chargeを参照。 概要[編集] Qualcomm QSD8250 SnapdragonのアーキテクチャはARM命令セットに基づいている。クアルコムは、Snapdragonをスマートフォン、タブレット、スマートブックデバイス"プラットフォーム"と位置付けている。Snapdragonプラットフォームは、一日のバッテリ動作を可能とする低消費電力のリアルタイムユビキタスコンピューティングを狙って設計されている。 多くのSnapdragonプロセッサはHDビデオのデコードの機能を内蔵している(ソフトウェアレンダリング
NASAの最新火星探査機が、1998年のiMac G3と同じCPUを搭載する理由 - iPhone Mania
先日、無事に着陸したことがニュースとなった米航空宇宙局（NASA）の火星ローバーPerseverance（パーサヴィアランス）のメインCPU には、1998年のiMac G3と同じPowerPC 750が採用されています。 23年前に発売されたiMac G3と同じCPUを搭載 火星のサンプルを地球に持ち帰るというミッションを背負った、パーサヴィアランスは先日、無事に火星に着陸しました。 科学技術メディアNewScientistによると、パーサヴィアランスには半透明なボディが印象的なiMac G3と同じCPUが採用されています。 なお、2011年に打ち上げられたキュリオシティにも同じCPUが採用されているそうです。 採用の理由は過酷な環境に耐える信頼性 最新鋭の火星探査ローバーに20年以上前のPowerPC 750が採用された理由は、過酷な環境でも動作する信頼性です。 火星探査機に搭載される
高電子移動度トランジスタ - Wikipedia
この記事は検証可能な参考文献や出典が全く示されていないか、不十分です。出典を追加して記事の信頼性向上にご協力ください。（このテンプレートの使い方） 出典検索?: "高電子移動度トランジスタ" – ニュース · 書籍 · スカラー · CiNii · J-STAGE · NDL · dlib.jp · ジャパンサーチ · TWL（2018年10月） 高電子移動度トランジスタ（こうでんしいどうどトランジスタ、High Electron Mobility Transistor）は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1979年に富士通研究所の三村高志により発明された。構造上の特徴からヘテロFET (HFET、hetero-FET)、ヘテロ接合FET (HJFET、He
ねがてぃぶろぐ ecaljで半金属α-スズ
ダイヤモンド構造を持つα-スズ(灰色スズ)は、バンドギャップがほとんどない半金属であることが知られています。今回は、ecaljを用いてα-スズの計算し、LDA計算でもGW近似計算でも半金属的なバンド構造を持つことを確認しました。 ダイヤモンド構造のα-スズ 私たちがスズと聞いて、日常的に思い浮かべるのは、β-スズと呼ばれる正方晶の結晶で、金属です。ここで周期表を眺めてみると、スズは14族に属する元素です。14族元素を上から順に見てみると、炭素・シリコン・ゲルマニウムといずれもダイヤモンド構造をとる半導体です(炭素の最安定構造はグラファイトですが)。スズもまた、13℃以下の温度では、ダイヤモンド構造をとり、α-スズ(灰色スズ)と呼ばれ、通常のβ-スズ(白色スズ)と区別されます。
MOSトランジスタの概略と動作原理、特性
MOSトランジスタは電界効果トランジスタの仲間です。正確にはMOSFETと言います。MOSFETとはMetal-Oxide-Semiconductor-Field-Efect-Transistorの頭文字をとったものです。一般的にMOSトランジスタと呼ばれています。 MOSトランジスタはバイポーラトランジスタと同じような動作をしますが原理は全く違います。 MOSトランジスタは電界効果トランジスタですから電圧で制御します。電界効果トランジスタの概略は電界効果トランジスタのページをお読み下さい。 JFETはこちら-->JFETトランジスタ 図１はMOSトランジスタの記号ですがダイオードが並列に接続されています。一般的にこのダイオードは回路図上で記入しません。(メーカーのデータシートの記号は記入されています)これは説明の都合上、記入しています。 このダイオードはMOSトランジスタの寄生ダイオード
シリコンの金属光沢 - OKWAVE
シリコンの金属光沢は、金属のような自由電子に由来するものではありません。 ・シリコンは可視光全域で、価電子帯から伝導帯への励起による吸収を起こす ・可視域で高い屈折率を示すため、高い反射率を持つ この組み合わせにより、金属のような光沢を持つのです。 これらの現象は、キャリア凍結領域でも起こりますので、液体ヘリウム 温度以下でも金属光沢はそのままです。可視光に対して透明になる ということはありえません。 ４Ｋ程度であれば、ガラスデュワーでも簡単に達成できますので、 観察は容易です。私はもう少しいいクライオスタットで、 超流動ヘリウムによりもう少し低い温度で実験をし、シリコン基板を 目視したことがありますが、当然見かけは変化しません。 常温状態での間接吸収端が1100nm程度、液体ヘリウム温度程度での 間接吸収端は1050～60nm程度ですから、YAGの波長(1064nm）前後 では、常温で不
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MOSFETの構造と動作原理 | 半導体製品 | 新電元工業株式会社- Shindengen
http://denkou.cdx.jp/Opt/PD01/PDF1_4.html