「Log4j」のトラブルってどうヤバいの？ 非エンジニアにも分かるように副編集長に解説させた
「Log4j」のトラブルってどうヤバいの？ 非エンジニアにも分かるように副編集長に解説させた：ヤマーとマツの、ねえこれ知ってる？（1/3 ページ） 経歴だけは長いベテラン記者・編集者の松尾（マツ）と、テック系編集部を渡り歩いてきた山川（ヤマー）が、ネット／テクノロジー用語で知らないことをお互い聞きあったり調べたりしながら成長していくコーナー。交代で執筆します。 ヤマー 「Log4j」関連、かなーり話題になってますね……。 マツ うちが取り上げたタイミング、結構早かったんだよね。 ヤマー 10日の夕方に初報を出してますね。そのあと関連記事もいくつか出てます。 マツ そこで今回、この情報をいち早く見つけたNEWS編集部の敏腕副編集長、キーチさんを呼び出して、この問題について根掘り葉掘り聞いてみようと思ってて。 キーチ いきなりハードルが高い。 ヤマー お、うわさをすればキーチさん登場。 マツ
IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
米IBMは12月14日（現地時間）、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。 VTFETは、ウェハの表面にトランジスタを重ねるfinFETなどと異なり、トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。この構造で、トランジスタのゲート長、スペーサーの厚さ、接点サイズの物理的制約を緩和できるとしている。FinFET設計と比較して、「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85％削減する」という。
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