台湾TSMCの、5nmプロセス製造ラインで発生していたガス汚染の原因が判明し復旧作業が行われました。同ラインでのA15チップ製造への影響はないと、MyDriversが伝えています。 アルゴン(Ar)が酸素に混入していたことが原因 TSMCの製造ラインにおけるガス汚染は、最新鋭の半導体製造施設であるFab 18にて7月末に発生しました。 その後の調査により、不活性ガスであるアルゴン(Ar)が酸素に混入していたことが原因だと判明しました。 幸い、混入したのがアルゴンであることからそれによる化学反応の被害もなく、TSMCの工場内のガス貯蔵タンクを洗浄するだけで復旧できたようです。 iPhone13シリーズ用A15チップ製造への影響なし このガス汚染が報じられた際はそれにより、iPhone13シリーズ用A15チップの製造に悪影響が出るのではないかと懸念されていました。 しかし、短期間で復旧したこと
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