グラフェン使う2端子構造の新型メモリー素子、フラッシュの2倍超の高密度を目指す(2009/01/06) グラフェン(graphene)を使う2端子構造の新型メモリー素子によって、フラッシュ・メモリーに比べて少なくとも2倍の記録密度を実現する――そんな研究に米Rice Universityが取り組んでいる。 グラフェンは、カーボン・ナノチューブと同様に、炭素原子が六角形のハニカム(蜂の巣)格子状に並んだ炭素材料の一種である。ただしグラフェンは炭素の単原子層によるシート状の材料であり、カーボン・ナノチューブのようにチューブ(円筒)状に形成する必要がなく、比較的容易に製造できる。すでに米IBM社などが、グラフェンを利用した超高速トランジスタの試作を進めている。これに対し今回、Rive UniversityのJames Tour教授率いる研究グループは、グラフェンによる2端子型のシンプルな構造