NTTは2022年4月22日、窒化アルミニウム(AlN)トランジスタを開発したと発表した。AlNは、次世代パワーデバイスの材料として、NTTなど一部の研究所で基礎研究が進められている。物性上は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも損失が小さく耐圧が高いことから、高電圧で高効率な電源回路を形成できる。そのため、カーボンニュートラルとの親和性が高い。今回、NTTがAlNトランジスタを「世界で初めて」(NTT)開発したことで、AlNデバイスが実用化に向け一気に近づいた。 AlNは、伝導帯と価電子帯とのエネルギー差である「バンドギャップ」が6.0eVあり、シリコン(Si)の1.1eV、SiCの3.26eV、GaNの3.4eVなどと比べて非常に大きい。このことから、ダイヤモンド半導体などと共に「ウルトラワイドバンドギャップ半導体」の1つに数えられる。 バンドギャップが大きいため、絶縁破壊
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