中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らの研究グループは、NANDフラッシュ・メモリと抵抗変化型メモリ(ReRAM)を組み合わせた統合ストレージ・システムにおいて、信頼性を従来比32倍に改善できる制御技術を開発した。詳細を「ISSCC 2013」で発表する[講演番号12.9]。
スピン注入式の新型MRAMがいよいよ製品化、2015年にはギガビット品が登場へ:メモリ/ストレージ技術 DRAMに近い高速性と書き換え耐性が得られる次世代不揮発メモリとして注目されるMRAM。これまでに製品化されていたトグル方式のMRAMは記憶容量に制約がありDRAMを置き換える応用は難しかった。この状況が変わる。大容量化の有力手段として期待がかかるスピン注入方式を使った、新型MRAMの製品化が始まった。 次世代の不揮発性メモリの1つMRAM(Magnetoresistive RAM:磁気メモリ)は、揮発性メモリであるDRAMに近い高速性と書き換え耐性を得られることから注目を集めている。製品化で先行するのが米国のアリゾナ州に本社を置くEverspin Technologiesだ。同社はFreescale Semiconductorが手掛けていたMRAM事業を2008年6月に分社化して誕生し
東京大学大学院工学系研究科の竹内健 准教授、慶應義塾大学理工学部の黒田忠広 教授と石黒仁揮 准教授らの研究チームは2月20日、非接触型の固体記憶媒体ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)メモリの研究開発において、3つの革新技術を開発したことを発表した。同研究成果の詳細は、2012年2月19日から23日(米国西部時間)に米国・サンフランシスコで開催されている「国際固体素子回路会議(ISSCC 2012)」で発表される予定。 今回発表された内容は、フラッシュメモリの寿命を最大10倍(実験値)に延ばす誤り訂正回路を有するメモリシステム、メモリモジュールを回路基板に載せるだけでプロセッサと双方向通信できる世界最高クラスの速度(1ピン当たり7Gbps)の非接触メモリシステム、最大0.52Wの電力を数μsの応答速度(従来比2桁高速化)で伝送できる非接触給電システムを開発したというもの。 今回の開発技術
低価格なMLCタイプのSSDでは、一時的にOSからの応答がなくなるプチフリーズと呼ばれる現象が発生することがある。それがなぜ発生するのか? メカニズムを探ってみよう。 プチフリーズは、OSからの応答が一時的になくなり、フリーズ(ハングアップ)したような現象が発生すること。一時的に発生するフリーズであることからプチフリーズと呼ばれているようだ。応答がなくなる時間は、使用環境によって左右されるようだが、数秒から、場合によっては1分以上に達することもある。 このプチフリーズという現象は、現在、SSD固有の問題として話題になっている。現在のところ、プチフリーズの発生が確認されているのは、JMicronのコントローラ「JMF602」を採用したSSDのみで、IntelやSamsungのSSDなどでは、発生が確認されていない。 では、なぜプチフリーズが発生するのだろうか? その原因は、SSDとPCのホス
会期:6月3日~7日(現地時間) 会場:Taipei World Trade Center Nangang Exhibition Hall Taipei World Trade Center Exhibition Hall 1/3 Taipei International Convention Center COMPUTEX会場では、DRAMやフラッシュを扱うメーカーの多くがSSDも展示を行なっている。SSDはHDDより、ランダムアクセス性能意外にも、消費電力や騒音の低さ、振動への強さといった理由から、価格はHDDより高いものの、ノートPCの次期主力ストレージとして注目を集めている。 一口にSSDといっても、ブースでは、SATA/PATAインターフェイスでHDDと同じ形状をしたものもあれば、組み込み用としてSATA/PATAコネクタに直付けするものや、フレキシブルケーブルにつなぐもの、親指
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