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フラッシュメモリ微細化の限界に挑戦するメーカーの取り組み
前編の「NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑」に続き、NAND型フラッシュメモリの後継... 前編の「NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑」に続き、NAND型フラッシュメモリの後継技術として関心が高まる、相変化メモリ（PCM）や磁気メモリ（MRAM）、抵抗変化型メモリ（RRAM）の3つの技術の最新動向を紹介する。これらの新技術は、過去2年間でブレークスルーが起き、性能と耐久性の両面で今後の飛躍が期待されている。 米Intelの不揮発性メモリソリューショングループの製品マーケティングディレクター、トロイ・ウィンスロー氏によると、Intelではスタック型PCMの一種で相変化メモリ＆スイッチ（PCMS）と呼ばれる技術が、企業向けシステムとしてMRAMよりも有望だと考えているようだ。PCMSはOvonic Threshold Switchで層化されたPCMエレメントで構成される。 IntelとNumonyxは2009年、64Mビットのテストチップで1個のダイ内に複数のPC
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