Appleが1億個のフラッシュメモリを発注、ソニーやNOKIAも大量発注で各社から新商品登場の可能性も
新型のiPhone 3Gが登場する可能性についても取りざたされているAppleですが、1億個のフラッシュメモリを発注したことが明らかになりました。 また、ソニーやNOKIAなどがフラッシュメモリの大量発注を行っていることも明らかになっていますが、かつてメーカーがフラッシュメモリを大量発注した後に新商品の発表があったことを考えると、各社から新商品が登場する可能性もあるようです。 詳細は以下の通り。 NAND flash supply to tighten after Apple reportedly places large order この記事によると、AppleはSamsungに対して8ギガビット（1ギガバイト）のNANDフラッシュメモリを発注したそうです。また、同時にソニーやNOKIAもフラッシュメモリの発注を強化して在庫を蓄え始めたとのこと。 なお、この大量発注を受けてフラッシュメモ
米スパンションが破産法第11条申請、再建計画を協議
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今買わないと損をする？microSDカードの価格が一気に50％高騰
以前GIGAZINEで2GBモデルが105円になったことをお伝えしたmicroSDメモリカードですが、なんと価格が一気に高騰することが明らかになりました。 わずか1日で50％の値上がりを記録しており、価格の下落に突然終止符が打たれた格好となった模様です。 詳細は以下の通り。 Prices for microSD cards increase 50% in one day この記事によると、大手フラッシュメモリメーカーのSamsungがmicroSDカードの供給を減少させたそうです。 これはHynix、東芝といった主要メーカーが供給過多で製品単価が下落し続けている状況を打破するためにNANDフラッシュメモリの生産を減少させたことを受けての措置で、これによりmicroSDメモリカードの価格は一日で50％も高騰したとのこと。 どうやら製品価格にはまだ反映されていないようなので、microSDカー
SunとMicron、100万回の書き換えを実現するNAND技術を開発
12月17日(現地時間)発表 米Sun Microsystemsと米Micron Technologyは17日(現地時間)、100万回の書き換えを実現したNANDフラッシュメモリ技術を開発したと発表した。 従来のNANDフラッシュメモリの書き換え可能回数は10万回程度だが、新技術ではこれを10倍引き延ばした。この技術はSLCを前提としており、信頼性や長寿命が求められる企業向けのSSD、ディスクキャッシュ、ネットワーク装置などへの応用が考えられている。 Micronでは、この技術を利用した最大32Gbitの企業向けSLC NANDのサンプル出荷を開始しており、2009年第1四半期より量産を開始する。また、同社ではこれとは別に34nmプロセスのNANDを使ったSLCおよびMLCの企業向け製品を2009年初頭に投入する予定。 □Micronのホームページ(英文) http://www.micro
第2四半期のNANDフラッシュ市場シェアはSamsungが42.3％，東芝が27.5％
調査会社の米iSuppli Corp.は，韓国Samsung Electronics Co.，Ltd.による米SanDisk Corp.買収提案に揺れるNANDフラッシュ・メモリ市場とメモリ・カードの米国市場の動向をまとめた（Tech-On!関連記事1，同2，同3，同4）。iSuppli社の調査によれば，Samsung社は2008年4月～6月期のNANDフラッシュ市場でシェア42.3％を獲得した。売上高の前年同期比の伸びは2.9％と業界平均の10.4％を下回ったものの，事業規模で2位以下を大きく引き離している。2位は東芝でシェアが27.5％，売り上げ成長率は11.7％である。 また，iSuppli社は，NANDフラッシュ事業で4月～6月期に利益を確保できたのはSamsung社だけだったとみている。メーカー間の競争の激化と，NANDフラッシュを採用する最終製品市場の停滞で，年初からNANDフ
アップルがサムスンにフラッシュメモリを大量発注--「iPhone」の増産に向けた動きか
ある台湾メディアの報道によると、Appleから大量注文が入ったため、NAND型フラッシュメモリがしばらく入手困難になる可能性があると、Samsungが顧客に警告しているという。 台湾のITサイトDigitimesは現地時間7月2日、Appleが最近、すでに報じられている「iPhone」製品に使用する目的で、8Gビットのフラッシュメモリチップを5000万個発注したと報じた。したがって、Samsungの他の顧客はフラッシュメモリの納品を待たされることになるという。Samsungはフラッシュメモリの供給確保のため、Appleが2005年に契約を結んだ会社の1つだ。 今回報じられているAppleの発注は、Gバイトレベルのフラッシュメモリにして5000万個分に相当する（8Gビット＝1Gバイト）。Appleは「iPhone 3G」において8Gバイト版および16Gバイト版を発売する計画なので、1Gバイト
Freescale，MRAM事業をスピンオフ
米Freescale Semiconductorは米国時間2008年6月9日，複数のベンチャ・キャピタルと共同出資して，MRAM事業の新会社を立ち上げると発表した。名称は「EverSpin Technologies」で，スタンドアロンのMRAMのほか，磁気関連製品を手がける。 EverSpinはアリゾナ州チャンドラーに本拠を置き，製造設備を保有する。FreescaleのMRAM技術と，関連する知的財産および製品を移管し，Freescaleの組み込み製品向けにMRAMを提供する。また，既存のFreescale顧客への製品供給も継続する。 従来のメモリー素子が電荷を利用して情報を記憶するのに対し，MRAMは磁気を用いる。ハード・ディスク装置の読み書きヘッドにも使われるトンネル磁気抵抗（TMR：Tunnel Magneto Resistance）素子でメモリー・セルの磁化方向を変え，それに応じた
2008 IRPSレポート【メモリ編】IntelとMicronがマルチレベルNANDフラッシュの不良を解析
会期:4月29日～5月1日(技術講演会のみ、現地時間) 会場:米国アリゾナ州Hyatt Regency Phoenix at Civic Plaza 2008 IRPSが5月1日(現地時間)に閉幕した。2008 IRPSレポートも今回をもって最終回となる。最後に、メモリ関連の注目発表をいくつか紹介したい。 IntelとMicron Technologyは共同で、マルチレベルセル(MLC)方式のNANDフラッシュメモリの不良モードを解析し、その結果を報告した(Mielkeほか、講演番号1.3) 1個のメモリセルに2bit以上のデータを記憶するMLC方式では、1bitを記憶するシングルレベルセル(SLC)とは異なる不良モードが生じる。NANDフラッシュメモリではMLC方式が主役になりつつあるので、不良モードの解析は、今後の信頼性向上に大きく役立つ可能性が高い。 IntelとMicronがテスト
東芝、2010年度に売上高10兆円を目指す新経営戦略発表
TV事業は2007年度4,800億円を2010年度7,500億円に拡大し、年平均成長率16%を目指す。 コスト力強化のために、海外での販売強化のために戦略提携と事業規模拡大によるコスト削減を実現し、グローバルレベルでのサプライチェーン強化を進める。また、各地域のニーズにあった製品を提供していくことで売上拡大につなげる。 顧客獲得の鍵となる差異化商品としては、独自開発の半導体技術によって現行DVDの画質を、次世代DVD並みに自動的に高画質に変換するTVとDVDプレーヤーの発売を計画。それ以外にも、大容量で高速、高品質のHDDを搭載したTV、レコーダ、Cell搭載TV発売も予定する。 「Cell搭載TVは、2009年秋の発売を予定している。超解像機能、マルチ同時録画、再生機能などTVの新しい楽しみ方を提供する機能を持った差異化商品となる」(西田社長)。 HDD事業は、個別売上目標は明らかにして
富士通，次世代FeRAM向けに1000億回の書き換えが可能なメモリ材料を開発
富士通研究所と東京工業大学は，次世代FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）向けのメモリ材料を開発した。ビスマスフェライト（BFO）の成分の一部を置き換えたもの。この新材料は，180nm世代の製品で採用されているものと同じ構造のままで，90nm世代以降のFeRAMに適用できるので，大容量FeRAMを実用化できるという。 一般に180nm世代のFeRAMのメモリ材料としては，チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）を使う。だがPZTは，微細化を進めると情報の記憶に必要な電荷量を得られなくなる。このため，PZTの適用は130nm世代までが限界とされている。それに対してBFOは，PZTより大きな電荷量を蓄えられる強誘電体だ。しかし，BFOを適用した場合はPZTに比べて書き換え回数が少ない上，リーク電流が大きい，という欠点があった。 そこで同社などは，BFOの成分の
【決算】米Micron Technology社は赤字拡大，NANDフラッシュ・メモリの価格が7割減
米Micron Technology, Inc.は，2008年第2四半期（2007年12月～2008年2月）の決算を発表した（発表資料）。売上高は対前年同期比4.8％減，対直前期比11.5％減の13億5900万米ドルだった。営業損益と純損益はともに赤字で，7億7200万米ドルの営業損失と7億7700万米ドルの純損失を計上している。赤字幅はいずれも，前年同期比と直前期比の両方で拡大している。 売上高が減収となったのは，平均販売価格下落の影響をメモリ製品の生産量の増加で吸収し切れなかったためという。同社の2008年第2四半期のDRAMおよびNANDフラッシュ・メモリの平均販売価格は，直前期比でそれぞれ15％と30％下落した。前年同期と比べると，それぞれ約60％と70％下落したという。 Micron社は，第2四半期のDRAMの1Mビット当たりのコストを，直前期比で約15％削減した。NANDフラッ
6502 東芝 - NIKKEI NET
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SSD
磁気ディスクの代わりに半導体メモリにデータを記録するストレージ装置のこと。一般にHDDと同等のインタフェースを持ち，OSからはHDDとして認識できる。使用する半導体メモリは，DRAMかNANDフラッシュ・メモリであることが多い。特に後者は，HDDと同じく電源を消してもデータが消えないので，1インチ～1.8インチの小型HDDの置き換えに向く。 HDDと比べたSSDの利点は三つある。一つは，ヘッドやモータといった可動部がないため，耐衝撃性に優れること。もう一つは，ヘッドを移動させるためのシーク時間や，ディスクの回転数を高めるスピンアップ時間をゼロにできること。最後は，HDDよりデータ転送速度を高められることである。ただし，一般にHDDと比べて容量当たりの単価は高い。 表1 SSD，ハイブリッドHDD，HDDの比較 SSDのデータはSamsung社が2006年5月に発表した最大16Gバイト品のも
不揮発性メモリ編・急速に力をつけるSamsung Electronics
DRAMやSRAMのようにランダム・アクセスが可能で，さらに電源を切っても情報が消えない。このような特徴を持つ不揮発性メモリに対する需要は，今後ますます伸びると考えられる。iPod touchなどの新しい携帯型プレーヤが次々と登場したり，またSSD（Solid State Drive，Tech-On！用語）を搭載したノート・パソコンが各社から発売されたりするなど，情報機器に加えて産業機器や車載機器などに搭載する動きも広がっている。こうした需要を狙って，東芝と米SanDisk Corp.はNANDフラッシュ・メモリの新工場を竣工（Tech-On！関連記事1），また米Intel Corp.と伊仏合弁のSTMicroelectronics社はフラッシュ・メモリ事業を統合するなど，業界の動きも活発化している（Tech-On！関連記事2）。 そこで今回の「技術競争力の検証」では，不揮発性メモリに関し
「NANDは5年以内にDRAMを追い抜く」，SanDisk社CEOが展望語る
「NAND型フラッシュ・メモリは5年以内にあらゆるメモリの中で最大市場になる」。米SanDisk Corp.の創業者にしてChairman & CEOのEli Harari氏が東京都内で記者会見を行い，NAND型フラッシュ・メモリ市場の展望を語った。 Harari氏によれば，NAND型フラッシュ・メモリの容量当たりの製造コストはNOR型フラッシュ・メモリやDRAMよりも小さく，今後も両技術以上にコストを削減できる見通しという。この結果，「デスクトップ型も含めたパソコン用メモリ市場などでハード・ディスク装置（HDD）の代替が進む。DRAMの市場もある程度は獲得できる」（同氏）とみる。 2007年は150億米ドルと推計されるNAND型フラッシュ・メモリの市場規模は2010年までに400億米ドルに達する見込み。SanDisk社のNAND型フラッシュ・メモリ市場におけるシェアは「現在，売上高ベース
「NANDフラッシュ・メモリのトップ・シェアを目指す」,東芝社長が新工場の竣工式で宣言
東芝と米SanDisk Corp.は2007年9月4日，三重県の四日市工場で300mmウエハーに対応したNANDフラッシュ・メモリの新工場である第4製造棟（Fab4）の竣工式を行った。竣工式後に開催されたパーティにて，東芝 代表執行役社長の西田厚聰氏は,「我々は,NANDフラッシュ・メモリの微細化，多値化技術で世界をリードしている。Fab4の稼働により2008年に（東芝とSanDisk社の生産を合わせた）生産能力で世界トップを目指す」と述べた（図3）。
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Sandisk Corporation (SNDK) Stock Price, News, Quote & History - Yahoo Finance
韓国Samsung社，多値NANDを使った小型の低価格パソコン向け小容量SSDをサンプル出荷
SK hynix Inc. (000660.KS) Stock Price, News, Quote & History - Yahoo Finance
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