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ブックマーク / srad.jp (6)

  • プログラマのための「コミュニケーションを円滑化するコツ」 | スラド

    マイコミジャーナルにて、「プログラミングは得意でもコミュニケーションは苦手?」という記事が掲載されている。元ネタは「Sometimes, The Better You Program, The Worse You Communicate」というsecretGeekの記事。 secretGeekの記事は、「プログラミングは上手いがコミュニケーションは下手」という人間がしばしばいることに触れ、「プログラミングにおいて良いといわれていることをコミュニケーションに当てはまると悪いことになる」という例を紹介するもの。紹介されているのは下記の4つ。 D.R.Y. Does Not Apply. — D.R.Y(don't repeat yourself、同じことを繰り返すな)ということは(人間には)適用するな。初めて行うことは失敗しやすいから何回も同じことを繰り返したほうがよい、Humans don'

  • ソニー、Cell生産から撤退へ | スラド

    朝日新聞の記事によると、ソニーはCellなど最先端半導体の生産から事実上撤退し、製造設備は東芝に来春にも売却する方向で交渉しているそうだ。売却額は約1000億円。ソニーが売却するのは、半導体子会社ソニーセミコンダクタ九州の長崎テクノロジーセンター(長崎県諫早市)にあるシステムLSI製造設備。ソニーはCellの新たな用途に展望が持てないため、多額の生産投資を回収しきれないと判断したという。

    dochan
    dochan 2007/09/15
  • 電子申請の利用率は1%以下? | スラド

    酔いどれvon_yosukeyan曰く、"IT Proの記事によると、政府の電子政府戦略e-Japanの重点項目の一つである、電子申請の利用率は平均で1%以下に止まるという。 この調査は日経BP社が中心となり、中央省庁(国家行政機関)の構築した電子申請システムの利用状況に対してアンケート形式で回答を求めたもの。回答を寄せた9省庁(図表参照)の、全申請数と電子申請の比率から、電子申請の利用率は1%以下になることがわかった 記事では、e-Japan計画が「申請手続きのオンライン化率を2003年度末までに97%に引き上げる」という数値目標を達成するために稚拙な計画推進に原因を求めているが、一部法学者や行政官僚の中からは、永久に電子化される見通しのない戸籍謄の添付が必要な行政申請の比率が高いことから、こうした申請の大部分は完全な電子申請化が不可能ではないかという意見が寄せられている(ジュリスト1

  • 総務省:「電子政府に100%の安全はなく、やむを得ない」 | スラド

    Anonymous Coward曰く、"毎日新聞のこの記事と次の記事によると、11月1日の情報処理学会コンピュータセキュリティ研究会主催のシンポジウムで、産業技術総合研究所の高木浩光氏のグループが政府認証基盤の総務省システムのセキュリティーの欠陥を指摘する論文を発表したとのこと。スラドで3月に出た話のまんまのようだ。 これに対する総務省大臣官房の反論が凄い。「通信途中で改ざんされる可能性が不可能とは言いきれないが、インターネットに100%の安全はなく、やむをえない」だそうだ。おいおい何のための公開鍵認証だよ?と小一時間問い詰めたいところ。 なお、高木氏らの論文と発表スライドが彼らのサイトにあった。"

    dochan
    dochan 2006/05/21
  • 電子政府が使えない理由、縦割りの弊害?JREの弊害? | スラド

    あるAnonymous Coward曰く、"25日の朝日新聞に電子政府も縦割り弊害 各種申請、同一PCで無理という記事が出ている。記事には日行政書士会連合会の話として、新車登録のための設定をしたパソコンでは不動産・商業登記の申請や国交省の電子入札ができなくなり、公的個人認証を使用するパソコンでは不動産登記ができなくなるそうだ。総務省の担当者によると「電子申請を始めたころ、各省庁はJREのバージョンの重要性にあまり気づいていなかった」とのこと。記事中の表に、各省庁の対応JREバージョンが載っており、バラバラだということがわかる。 不具合解消のため総務省が4月3日から電子政府のホームページに総合受付コーナーを設けるとのこと。"

    dochan
    dochan 2006/05/21
  • ナノワイヤーで記録的な超大容量 | スラド

    oddmake曰く、"New Scientist記事より。ハーバード大学、ドレクセル大学、ペンシルバニア大学のJonathan E. Spanierらの研究チームは、 BaTiO3ナノワイヤーに水分を添加することにより、ナノスケールの強誘電体として利用可能であると米化学学会のNano Lettersに発表した。 このナノワイヤーを使えば理論上1cm3あたり10000テラビットの記憶容量を持つ記録媒体が製造可能だという。現在のメディアと比較するとフラッシュメモリが1cm3あたり5ギガビットであるので、おおよそ200万倍に容量が増加するようだ。"

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