「最先端LSIを実現したArFエキシマレーザーリソグラフィ用新規レジスト材料の開発と実用化」が第57回大河内記念技術賞を受賞 : 富士通

富士通セミコンダクター株式会社（注1）ならびに株式会社富士通研究所（注2）は、「最先端LSIを実現したArF（フッ化アルゴン）エキシマレーザーリソグラフィ（注3）用新規レジスト材料の開発と実用化」に関して第57回（平成22年度）大河内記念技術賞を受賞し、本日、東京・丸の内の日本工業倶楽部にて贈賞式が行われました。 大河内賞は大河内正敏工学博士が、財団法人理化学研究所の第3代所長（大正6年～昭和21年）として学会・産業界に残した大きな貢献を記念して設立されたもので、毎年、日本の生産工学・生産技術分野における顕著な業績に対して贈られるものです。 LSIはシリコンウェハー基板上に大規模な回路を小さく形成する技術を用いて製造され、微細化することで1枚のウェハーから多数のLSIを製造してコストを低減することができ、性能や省電力性が向上してきました。微細化のためには、回路パターンをレーザー光で転写する

[Donca]

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