急成長するSiCとGaNパワー半導体、その現状を知る

急成長するSiCとGaNパワー半導体、その現状を知る：最新の開発動向や、用途／製造面の違い（1/2 ページ） 急激な成長を遂げるSiC（炭化ケイ素）およびGaN（窒化ガリウム）パワー半導体について、基本的な設計技術や製造方法、ターゲット用途などの現状を説明する。 SiC（炭化ケイ素）およびGaN（窒化ガリウム）パワー半導体の製品化は進み、市場シェアを急速に拡大しているところだ。フランスの市場調査会社Yole Groupによると、SiCおよびGaNデバイスは2027年末までに、パワー半導体市場全体の30％のシェアを獲得し、シリコンMOSFETやIGBTを置き換えていくという。急激な成長を遂げるこれらのWBG（ワイドバンドギャップ）半導体について、基本的な設計技術や製造方法、ターゲット用途などの現状を、正確に把握する必要があるだろう。 SiC、GaN、シリコンのすみ分け Navitas Sem

[daishi_n]

GaNはギリギリEV駆動系やインバータ系に使えるけどSiCの方が高電圧化には向くか。一般向けはGaNで十分なわけで。800VのポルシェタイカンはIGBT+SiCだそうな

[mabarasuji]

“GaN半導体は将来的に、車載用充電器（OBC）やEV用DC-DCコンバーターをはじめ、自動車分野で軌道に乗っていくだろう”