産総研：電圧書込み方式不揮発性メモリーの安定動作の実証と書込みエラー率評価

不揮発性メモリーMRAMの新しい書込み方式「電圧書込み」の安定動作を実証 実用上重要な書込みエラー率の評価法を開発、実用化に必要なエラー率実現に道筋 電圧書込み型の不揮発性メモリーによる情報機器の超低消費電力化の可能性 国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）スピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】電圧スピントロニクスチーム 塩田 陽一 研究員は、電圧を用いた磁気メモリー書込みの安定動作を実証し、実用化に必要な書込みエラー率を実現する道筋を明らかにした。 非常に薄い金属磁石層（記録層）をもつ磁気トンネル接合素子（MTJ素子）にナノ秒程度の極短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転を誘起できる。これを利用すると磁気メモリーへの情報の書込みができる。今回、この電圧書込み方式の安定動作を実証し、また書込みエラー率の評価法を開発して、エラー