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様々な半導体材料に適応する縦型量子ドットの新しい製造法を開発(量子情報処理技術開発に新たな道)
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様々な半導体材料に適応する縦型量子ドットの新しい製造法を開発(量子情報処理技術開発に新たな道)
平成19年11月28日 科学技術振興機構(JST) Tel: 03-5214-8404(広報・ポータル部広報課) 東北... 平成19年11月28日 科学技術振興機構(JST) Tel: 03-5214-8404(広報・ポータル部広報課) 東北大学 Tel: 022-217-5422(電気通信研究所総務課研究協力係) JST(理事長 北澤 宏一)と東北大学(総長 井上 明久)は、III-V族化合物半導体注1)(In,Ga)As[インジウムガリウム砒素]を用いて、新しい作製方法による極微細3次元MOS(Metal / Oxide / Semiconductor)ゲート構造を持つ縦型量子ドット注2)を試作し、縦型量子ドットの電子スピン注3)をゲート印加電圧と外部印加磁場によって正確に制御できることを確認しました。 縦型量子ドットは「人工原子」とも呼ばれ、ゲート電圧によってドット中の電子数を0から1個ずつ正確に制御することができます。この構造は、単一電子のスピンを調べるのに理想的なデバイスの1つであるとともに、将来の電