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プレスリリース | "酸化ガリウム(Ga2O3)トランジスタ"を世界で初めて実現! | NICT-独立行政法人 情報通信研究機構
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プレスリリース | "酸化ガリウム(Ga2O3)トランジスタ"を世界で初めて実現! | NICT-独立行政法人 情報通信研究機構
独立行政法人情報通信研究機構(理事長:宮原 秀夫)は、株式会社タムラ製作所(代表取締役社長:田村 ... 独立行政法人情報通信研究機構(理事長:宮原 秀夫)は、株式会社タムラ製作所(代表取締役社長:田村 直樹)、株式会社光波(代表取締役社長:中島 康裕)と共同で、新しいワイドギャップ半導体 材料である酸化ガリウム(Ga2O3)単結晶基板を用いた電界効果型トランジスタ(FET)を開発し、その世界初の動作実証に成功しました。 酸化ガリウムは、そのワイドギャップに代表される材料物性から、高耐圧・低損失なパワーデバイス用途の新しい半導体材料として非常に有望です。また酸化ガリウムは、シリコンカーバイド(SiC)、窒化ガリウム(GaN)といった既存のワイドギャップ半導体では不可能な融液成長法による単結晶基板の作製が可能であることから、製造に必要なエネルギーやコストの大幅な削減が見込まれます。今回開発したトランジスタに代表される「酸化ガリウムパワーデバイス」は、現代の省エネルギー問題に直接貢献することができ