米フェイスブック、NVMe SSDを最大60基搭載できる装置「Lightning」の設計を公開
米フェイスブック、NVMe SSDを最大60基搭載できる装置「Lightning」の設計を公開：Open Compute Summit 2016 米フェイスブックは2016年3月9日（米国時間）、同社が主導するOpen Compute Projectが開催の「Open Compute Summit 2016」を機に、多数のNVMe SSDを2Uサイズのシャーシに搭載し、外部接続された複数のサーバから利用できる装置の仕様を公開した。同社はこれを「Lightning」と名付けている。 米フェイスブックは2016年3月9日（米国時間）、同社が主導するOpen Compute Project（以下OCP）が開催の「Open Compute Summit 2016」を機に、多数のNVMe SSDを2Uサイズのシャーシに搭載し、外部接続された複数のサーバから利用できる装置の仕様を公開した。同社はこれを
SSDに2PB(200万ギガバイト)書き込みまくると性能はどれくらい落ちるのか？
SSD主要6モデルに特別なプログラムを使って尋常ではない量のデータを書き込みまくって再起不能まで追い込む耐久比較実験を、The Tech Reportが絶賛敢行中です。実験ではすでにIntel「335」、Corsair「Neutron GTX」、Samsung「840」を葬り去ってきました。最後まで残ったSamsung「840 Pro」とKingston「HyperX 3K」は2PB(200万GB)の大台を突破してもなお健在。2PBという超大容量の書き込みに耐えたと言うこと自体が、驚異的なのですが、2PBの書き込みによってSSDのパフォーマンス(速度)はどのように悪化するのかについて興味深いデータが明らかになりました。 The SSD Endurance Experiment: Two freaking petabytes - The Tech Report - Page 1 http:/
次世代SSDがついに登場、標準規格と3Dフラッシュで進化
関連キーワード SSD | 半導体ストレージ | ハードディスク | オールフラッシュ | フラッシュメモリ 毎年、米TechTargetでは「ホットなデータストレージ技術」の予測を発表している。読んだことがある人はご存じのように、われわれが取り上げるこれらの技術には、原則として“絵に描いた餅”のプロジェクトは含まれない。今後1年間に企業のIT環境にインパクトをもたらすと見込まれる、新しい、あるいは最近注目され始めたストレージ技術にフォーカスしている。 もっとも、こうした技術の中には、研究所から最近送り出されたばかりのストレージ技術が含まれることもある。しかし、それらは非常に有望な技術であり、すぐに存在感を発揮するようになると考えている。それが今日のストレージ市場の特徴だといえる。以前は技術が進化して支持を獲得するまでに何年もかかっていたが、最近では、短期間でたちまち人気を博する技術も出て
インテルか、東芝か――次世代の最新SSDを徹底検証
東芝製SSDを搭載するアイ・オー・データ機器の「SSDN-STB」シリーズは、秋葉原のパーツショップでも入手が困難なほど人気が高い SSDは駆動部分がなく、シークタイムが存在しないためにランダムリード／ライトに優れ、静音（無音）かつ高い耐衝撃性を誇るなど、HDDに比べて多くのメリットを持つ。ただしその一方で、これまでSSDはバイト単価が高い、“プチフリ”と呼ばれるディスク停止状態になる、書き換え寿命が短いといった欠点もあった。 しかし、現在では比較的安価なMLCタイプのSSDでも高速化が図られ、プチフリも特定チップを除けばほぼ解消している。さらに多くのメーカーが参入したことによる高速化、低価格化、大容量化も進み、普及に弾みをつけた。そしてWindows 7の登場により、SSDはOSから単なる「高速なHDD」ではなく「SSD」として認識されるようになった。 高品質なSSDといえばまず思い浮か
2008 IRPSレポート【メモリ編】IntelとMicronがマルチレベルNANDフラッシュの不良を解析
会期:4月29日～5月1日(技術講演会のみ、現地時間) 会場:米国アリゾナ州Hyatt Regency Phoenix at Civic Plaza 2008 IRPSが5月1日(現地時間)に閉幕した。2008 IRPSレポートも今回をもって最終回となる。最後に、メモリ関連の注目発表をいくつか紹介したい。 IntelとMicron Technologyは共同で、マルチレベルセル(MLC)方式のNANDフラッシュメモリの不良モードを解析し、その結果を報告した(Mielkeほか、講演番号1.3) 1個のメモリセルに2bit以上のデータを記憶するMLC方式では、1bitを記憶するシングルレベルセル(SLC)とは異なる不良モードが生じる。NANDフラッシュメモリではMLC方式が主役になりつつあるので、不良モードの解析は、今後の信頼性向上に大きく役立つ可能性が高い。 IntelとMicronがテスト
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東芝のSSDはどうなってしまったのか？
【次世代HDD】SSD ２台目【ｷﾀｰ?】
