夏休み期間なので、少し落ち着いた話題をと思い、日経テクノロジーに寄稿しました。 「真のイノベーションは専門家にも理解されない フラッシュメモリの原型、浮遊ゲートセルの発明は学術誌に掲載を拒否されていた」 フラッシュメモリの原型となる、浮遊ゲートセルはSimon M. Szeによって1967年に発明されました。 先週、サンタクララで開催されたフラッシュメモリサミットに行った際に、Szeさんのお弟子さんから、発明当時の話を伺うことができました。 最初の論文を読むと、現在のフラッシュメモリにつながる基本動作が書かれていて、これが40年以上前の論文なのかと、その先見性に驚くばかりです。 この素晴らしい論文が、一流の論文誌には続けざまに掲載を拒否され、仕方なく、自社が発行する論文誌(と言うよりも、企業の技術広報誌)に掲載されたという話を聞きました。 常識を覆すほどの技術だからこそイノベーションなわけ