＠IT：45ナノLSIを生み出す富士通研究所の「あきる野方式」とは
2005/6/7 富士通研究所は6月6日、45ナノメートル世代LSI向けに、下層配線部分の絶縁膜すべてに低い誘電率の材料を適用する多層配線技術の開発に成功したと発表した。45ナノ世代LSIの高速化と低消費電力を実現するためのキーテクノロジで、富士通研究所は「研究所としては2008年の量産に向けて準備する」としていて、研究開発を加速させる考えだ。 LSI開発では、LSIの微細化によって配線と絶縁膜がコンデンサの働きをしてしまう「寄生容量」の解決が課題の1つになっている。寄生容量を下げるには絶縁材料として誘電率の低い材料を使うのがポイント。富士通研究所が今回開発した多層配線技術は、下層配線部分のすべてに「ポーラスシリカ系材料ナノクラスタリングシリカ」（NCS）と呼ばれる材料を適用し、誘電率を下げることに成功した。65ナノ世代のLSIではNCSは下層配線部分の一部にしか適用できなかったが、強度低
富士通、黒川社長が経営方針を説明
5月25日 実施 富士通株式会社は25日、2005年度の経営方針説明会を行ない、同社黒川博昭社長が2004年度の業績を振り返るとともに、今後の事業方針などを示した。 当初予定されていた最初の１時間は、黒川社長の説明に終始。さらに質疑応答が45分間に及ぶなど、熱の入った会見となった。また、配布されたパワーポイントの資料だけでも60枚を突破。配布されずに映し出されたものを含めると70枚を超える、これも大手企業の社長のプレゼンテーション資料としては異例の枚数となった。 ●不採算案件が公約違反に直結 冒頭、黒川社長は、2004年度の「公約」として掲げた営業利益2,000億円に対して、実績が1,601億円に留まったことに対する説明を行なった。 「10月の下方修正の時点で、ソフト・サービス事業で約150億円のマイナスが出ることがわかったのに続き、1月にはこれが300億円、さらに、最終的には570億円と
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