＠IT：45ナノLSIを生み出す富士通研究所の「あきる野方式」とは

2005/6/7 富士通研究所は6月6日、45ナノメートル世代LSI向けに、下層配線部分の絶縁膜すべてに低い誘電率の材料を適用する多層配線技術の開発に成功したと発表した。45ナノ世代LSIの高速化と低消費電力を実現するためのキーテクノロジで、富士通研究所は「研究所としては2008年の量産に向けて準備する」としていて、研究開発を加速させる考えだ。 LSI開発では、LSIの微細化によって配線と絶縁膜がコンデンサの働きをしてしまう「寄生容量」の解決が課題の1つになっている。寄生容量を下げるには絶縁材料として誘電率の低い材料を使うのがポイント。富士通研究所が今回開発した多層配線技術は、下層配線部分のすべてに「ポーラスシリカ系材料ナノクラスタリングシリカ」（NCS）と呼ばれる材料を適用し、誘電率を下げることに成功した。65ナノ世代のLSIではNCSは下層配線部分の一部にしか適用できなかったが、強度低

[kitashirakawa]

研究所で開発、その後事業部で事業化を検討。「形式的な移管作業を行わず、チームと技術を一緒に動かす」