過熱するHBM開発競争、SK hynixは製品化を前倒し
過熱するHBM開発競争、SK hynixは製品化を前倒し：「HBM4」を2025年に発表へ（1/3 ページ） SK hynixは、次世代HBMである「HBM4」製品について、従来の想定より1年早い2025年に発表予定だと明かした。同社はHBM市場で大きなシェアを確保しているが、専門家は「今後、より厳しい競争に直面することになるだろう」と語っている。 HBM4Eまでのロードマップを公開 SK hynixは、AI（人工知能）に不可欠なHBM（広帯域幅メモリ）市場において、同社が引き続き優位性を確保していく考えであることを示すロードマップを公開した。一方で業界専門家は米国EE Timesの取材に対し、「SK hynixは、同社のライバルであるSamsung Electronics（以下、Samsung）やMicron Technology（以下、Micron）に対してリードを維持してきたが、今後
Samsung幹部がTSMCを極秘訪問、次世代HBMでの技術協力を要請 台湾メディア報道
台湾のハイテクメディアであるDigiTimesが、台湾の半導体サプライチェーン筋の情報として、Samsung ElectronicsのDevice Solutions(DS)部門の経営幹部が、3月末以降、TSMCをはじめとする台湾企業を複数回にわたってひそかに訪問していると報じている。 この訪問の主な目的は、すでにTSMCとの協業を公にしたSK hynixと同様、次世代HBMの実現に向けたTSMCに対する技術協力の要請だという。また、それと並行して、UMCのほか、台湾の製造装置・材料などといったTSMCのサプライチェーンを担う複数の企業も訪問した模様だという。 広帯域を実現するHBMの現在の最大の応用先はAI分野であり、AI半導体市場は現在、NVIDIAが圧倒的な存在感を示している。NVIDIAが手掛けるH100のようなAI半導体は、TSMCの先端プロセスとCoWoSと呼ばれる先端パッケー
今中能夫【米国株ハイテク・ウォーズ】ジェンスン・フアンが描くAIの未来図 | 特集 - 株探ニュース
全世界が注目！ エヌビディア・テクノロジー・カンファレンスで見えてきた「生成AI」の社会的影響 2024年最初の四半期を終え、AIブームに沸いた米国株式市場にも一服感が出ているが、世に「生成AI」が誕生してからまだわずか1年半、AI革命はこれからが本番だ。今回の連載では、このムーブメントの中心人物、エヌビディア<NVDA>のCEO、ジェイスン・フアンが毎年恒例のテック・カンファレス「GTC2024」で語った言葉の意味を、詳しく解説してもらう。これまで漠然としていたAI革命の具体像が見えてくるはずだ。 ◆最新半導体アーキテクチャー「ブラックウェル」を発表 今後のAI相場の行方を占うイベントとして世界中の投資家から注目を集めたエヌビディアの年次テクノロジー・カンファレンス「GTC2024」。3月18日から4日間の日程で開催されたこのイベントは、日本でもその一端は報道されてきたが、はたして多くの
HBM（High Bandwidth Memory）：市場シェア分析、産業動向と統計、成長予測（2024年～2029年）
Major factors driving the growth of the high bandwidth memory (HBM) market include the growing need for high-bandwidth, low power consumption, and highly scalable memories, increasing adoption of artificial intelligence, and a rising trend of miniaturization of electronic devices. Key Highlights High Bandwidth Memory (HBM) is a high-speed computer memory interface for 3D-stacked SDRAM, usually use
【注目】AI時代の発展を支える半導体製造技術 【第4話】「TSV技術」とは｜inrevium
先端半導体の技術の中でも微細化と並んで今後の半導体性能を大きく左右する、3次元実装技術。その構成技術であるTSV技術について解説します。 TSV技術とは TSV（Through silicon via)技術とは、シリコン貫通電極の意味で、従来Cuワイヤーボンドにてチップを電気的に接続する代わりに、シリコンウェーハー内部に上下貫通する細い穴（ビア）をあけてその内側に金属を埋め込んで電極を作成し、マイクロバンプを通してシリコンチップを電気的かつ機械的に接続する技術です。 TSVのメリットとしては、主に以下3つがあります。 ・処理速度の高速化：TSVを使用することで、ワイヤーボンドに比べてチップ間の距離を短縮することができます。これにより、高速で信号を伝送することができます。また多端子化への対応も可能になります。 ・小型化/高密度化：TSVを使用することで、複数のチップを積層して1つのパッケージ
特集：半導体メモリ（HBMがAI半導体の性能向上と増産のカギとなる）、銘柄レポート：ディスコ（2024年3月期4Qの個別売上高、個別出荷額は好調だった） | トウシル 楽天証券の投資情報メディア
● AI半導体の性能向上にとってDRAMの最新規格「DDR5」のウェハをベースに作られる特殊メモリである「HBM」は不可欠である。またAI半導体の増産には先行してHBMの増産が必要になる。HBMメーカーのSKハイニックス、サムスン電子、マイクロン・テクノロジーにとってHBMは重要な収益ドライバーになりつつある。 ● マイクロン・テクノロジーの2024年8月期2Qは売上高は前年比57.7％増、営業損益は黒字転換した。今年2月から「HBM3e」の量産、出荷を開始しており、今3Qから来期にかけてHBMの収益寄与が拡大しよう。DRAM、NANDの市況改善も業績に寄与。今後6～12カ月間の目標株価を前回の110ドルから180ドルに引き上げる。引き続き中長期で投資妙味を感じる。 ● ディスコの2024年3月期4Qの個別売上高は前年比29.9％増、個別出荷額は同35.1％となった。パワー半導体向けが堅調
ＳＫハイニックス 米にＡＩメモリー工場建設へ＝約５８００億円投資 | 聯合ニュース
【ソウル、ワシントン聯合ニュース】韓国半導体大手のＳＫハイニックスは４日、米インディアナ州に人工知能（ＡＩ）のデータ処理を高速化するメモリーチップ「ＨＢＭ（広帯域メモリー）」の生産工場を建設すると発表した。総事業費は３８億７０００万ドル（約５８００億円）。 ３日（現地時間）にインディアナ州や米政府の関係者らと投資契約を結んだ。 同工場では２０２８年下半期からの量産を目指す。ＳＫハイニックスは「世界のＡＩ半導体供給網の活性化の先頭に立つ」と強調した。 ＳＫハイニックスはＨＢＭ市場でトップのシェアを占めている。ＡＩ市場の拡大により、ＨＢＭなど超高性能メモリーの需要が急増するなか、米国への投資を検討してきた。バイデン米政権は２０２２年、米国内で半導体生産を拡大する企業に３９０億ドルなど５年間で計５２７億ドルを支援する法律を成立させた。当局に補助金申請書を提出したという。 米ブルームバーグ通信は１
【注目】 AI時代の発展を支える半導体製造技術 【第9話】「HBM（High Bandwidth Memory）」とは｜inrevium
生産現場 計測・検査 【注目】 AI時代の発展を支える半導体製造技術 【第9話】「HBM（High Bandwidth Memory）」とは 先端半導体の技術の中でも微細化と並んで今後の半導体性能を大きく左右する、3次元実装技術。その構成技術のであるHBM（High Bandwidth Memory）について解説します。 HBM（High Bandwidth Memory）とは HBM（High Bandwidth Memory）とは非常に高い帯域幅（データ転送速度）を持ったDRAMです。 メモリとプロセッサを結んで信号を交換する入出力回路（IO:Input/Output）をバスと呼びます。 このバスを1秒間に通過するデータ信号の数を帯域幅（Band width）と呼び、この帯域幅の数値が大きいほどデータ処理が速いことを示しています。帯域幅は信号線1本の伝送速度×バスの本数で決まります。
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半導体業況の回復はまだなのに…ＳＫハイニックス、米国に６千億円の工場建設計画